ფიქსირებული ინდუქტორები

MGA06053R3M-10

MGA06053R3M-10

ნაწილი საფონდო: 18969

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
MGV0602R22N-10

MGV0602R22N-10

ნაწილი საფონდო: 9980

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 15A, მიმდინარე - სატურაცია: 32A,

სასურველი
MGA06052R2M-10

MGA06052R2M-10

ნაწილი საფონდო: 21614

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGV0602150M-10

MGV0602150M-10

ნაწილი საფონდო: 9994

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,

სასურველი
MGV06021R2M-10

MGV06021R2M-10

ნაწილი საფონდო: 10000

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV0602100M-10

MGV0602100M-10

ნაწილი საფონდო: 9964

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
MGA06054R7M-10

MGA06054R7M-10

ნაწილი საფონდო: 16216

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
MGA0605R56M-10

MGA0605R56M-10

ნაწილი საფონდო: 38751

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,

სასურველი
MGV0602220M-10

MGV0602220M-10

ნაწილი საფონდო: 6503

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
MGV0625150M-10

MGV0625150M-10

ნაწილი საფონდო: 9949

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MGV0602R56M-10

MGV0602R56M-10

ნაწილი საფონდო: 9920

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV0603R10N-10

MGV0603R10N-10

ნაწილი საფონდო: 9977

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 32.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 60A,

სასურველი
MGV06026R8M-10

MGV06026R8M-10

ნაწილი საფონდო: 9990

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,

სასურველი
MGV06051R5M-10

MGV06051R5M-10

ნაწილი საფონდო: 6890

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV0605R22M-10

MGV0605R22M-10

ნაწილი საფონდო: 4286

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 25A, მიმდინარე - სატურაცია: 35A,

სასურველი
MGV06053R3M-10

MGV06053R3M-10

ნაწილი საფონდო: 4242

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
MGV06058R2M-10

MGV06058R2M-10

ნაწილი საფონდო: 4296

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,

სასურველი
MGV06056R8M-10

MGV06056R8M-10

ნაწილი საფონდო: 171673

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი
MGV0605R82M-10

MGV0605R82M-10

ნაწილი საფონდო: 6888

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
MGV06051R0M-10

MGV06051R0M-10

ნაწილი საფონდო: 6935

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,

სასურველი
MGV06052R2M-10

MGV06052R2M-10

ნაწილი საფონდო: 4332

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGV06054R7M-10

MGV06054R7M-10

ნაწილი საფონდო: 6899

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
MGV0605100M-10

MGV0605100M-10

ნაწილი საფონდო: 171637

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.3A,

სასურველი
MGV06055R6M-10

MGV06055R6M-10

ნაწილი საფონდო: 171715

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
MGV0605R56M-10

MGV0605R56M-10

ნაწილი საფონდო: 171647

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV0605R68M-10

MGV0605R68M-10

ნაწილი საფონდო: 4246

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 18A, მიმდინარე - სატურაცია: 17A,

სასურველი
MGV0402R22N-10

MGV0402R22N-10

ნაწილი საფონდო: 9936

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 24A,

სასურველი
MGV0312R68M-10

MGV0312R68M-10

ნაწილი საფონდო: 21615

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.1A,

სასურველი
MGV0302R10N-10

MGV0302R10N-10

ნაწილი საფონდო: 9999

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 10.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
MGA0603R47M-10

MGA0603R47M-10

ნაწილი საფონდო: 16223

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 27A,

სასურველი
MGV0312R47M-10

MGV0312R47M-10

ნაწილი საფონდო: 21645

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.2A,

სასურველი
MGV04121R2M-10

MGV04121R2M-10

ნაწილი საფონდო: 21699

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
MGA0603R33M-10

MGA0603R33M-10

ნაწილი საფონდო: 16298

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 33A,

სასურველი
MGV03021R2M-10

MGV03021R2M-10

ნაწილი საფონდო: 16232

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.5A,

სასურველი
MGV04026R8M-10

MGV04026R8M-10

ნაწილი საფონდო: 16225

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
MGV03121R0M-10

MGV03121R0M-10

ნაწილი საფონდო: 21624

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,

სასურველი