ფიქსირებული ინდუქტორები

MGV12074R7M-10

MGV12074R7M-10

ნაწილი საფონდო: 8660

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 32A,

სასურველი
MGV12072R2M-10

MGV12072R2M-10

ნაწილი საფონდო: 8614

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 22A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
MGV1207R33M-10

MGV1207R33M-10

ნაწილი საფონდო: 8700

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 46A, მიმდინარე - სატურაცია: 65A,

სასურველი
MGV1207R47M-10

MGV1207R47M-10

ნაწილი საფონდო: 8686

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 41A, მიმდინარე - სატურაცია: 63A,

სასურველი
MGV1207R22M-10

MGV1207R22M-10

ნაწილი საფონდო: 8624

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 53A, მიმდინარე - სატურაცია: 112A,

სასურველი
MGV12071R0M-10

MGV12071R0M-10

ნაწილი საფონდო: 6475

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 32A, მიმდინარე - სატურაცია: 49A,

სასურველი
MGV12073R3M-10

MGV12073R3M-10

ნაწილი საფონდო: 8672

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 18A, მიმდინარე - სატურაცია: 35A,

სასურველი
MGA12056R8M-10

MGA12056R8M-10

ნაწილი საფონდო: 13214

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
MGV12078R2M-10

MGV12078R2M-10

ნაწილი საფონდო: 8651

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
MGV1207470M-10

MGV1207470M-10

ნაწილი საფონდო: 4357

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.5A,

სასურველი
MGV12071R5M-10

MGV12071R5M-10

ნაწილი საფონდო: 8652

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 27A, მიმდინარე - სატურაცია: 45A,

სასურველი
MGA1205100M-10

MGA1205100M-10

ნაწილი საფონდო: 13284

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV12076R8M-10

MGV12076R8M-10

ნაწილი საფონდო: 8700

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 16.5A,

სასურველი
MGV1207220M-10

MGV1207220M-10

ნაწილი საფონდო: 4335

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGV1207R15M-10

MGV1207R15M-10

ნაწილი საფონდო: 8667

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 55A, მიმდინარე - სატურაცია: 118A,

სასურველი
MGV1207100M-10

MGV1207100M-10

ნაწილი საფონდო: 8693

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 15.5A,

სასურველი
MGV1207R56M-10

MGV1207R56M-10

ნაწილი საფონდო: 8629

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 37A, მიმდინარე - სატურაცია: 62A,

სასურველი
MGV12075R6M-10

MGV12075R6M-10

ნაწილი საფონდო: 8658

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 32A,

სასურველი
MGV1207330M-10

MGV1207330M-10

ნაწილი საფონდო: 6542

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 11A,

სასურველი
MGV12071R8M-10

MGV12071R8M-10

ნაწილი საფონდო: 8611

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 24A, მიმდინარე - სატურაცია: 41A,

სასურველი
MGV1207150M-10

MGV1207150M-10

ნაწილი საფონდო: 8618

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 12.5A,

სასურველი
MGV1207R30M-10

MGV1207R30M-10

ნაწილი საფონდო: 8700

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 300nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 48A, მიმდინარე - სატურაცია: 72A,

სასურველი
MGV1207R68M-10

MGV1207R68M-10

ნაწილი საფონდო: 8664

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 35A, მიმდინარე - სატურაცია: 60A,

სასურველი
MGV1205330M-10

MGV1205330M-10

ნაწილი საფონდო: 6488

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 8A,

სასურველი
MGV1205150M-10

MGV1205150M-10

ნაწილი საფონდო: 8659

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV1205220M-10

MGV1205220M-10

ნაწილი საფონდო: 6546

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
MGV1205R82M-10

MGV1205R82M-10

ნაწილი საფონდო: 132

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 31A, მიმდინარე - სატურაცია: 53A,

სასურველი
MGV12051R5M-10

MGV12051R5M-10

ნაწილი საფონდო: 8662

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 48A,

სასურველი
MGV1205100M-10

MGV1205100M-10

ნაწილი საფონდო: 6518

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
MGV12055R6M-10

MGV12055R6M-10

ნაწილი საფონდო: 8643

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
MGV12053R3M-10

MGV12053R3M-10

ნაწილი საფონდო: 8691

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15A, მიმდინარე - სატურაცია: 32A,

სასურველი
MGV12054R7M-10

MGV12054R7M-10

ნაწილი საფონდო: 6496

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 27A,

სასურველი
MGV12051R0M-10

MGV12051R0M-10

ნაწილი საფონდო: 6460

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 29A, მიმდინარე - სატურაცია: 50A,

სასურველი
MGV1205R47M-10

MGV1205R47M-10

ნაწილი საფონდო: 8667

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 38A, მიმდინარე - სატურაცია: 65A,

სასურველი
MGV1205R56M-10

MGV1205R56M-10

ნაწილი საფონდო: 8699

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 36A, მიმდინარე - სატურაცია: 55A,

სასურველი
MGV1205R33M-10

MGV1205R33M-10

ნაწილი საფონდო: 8612

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 42A, მიმდინარე - სატურაცია: 80A,

სასურველი