ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 24A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 17A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 21A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 8A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 18A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 21A, მიმდინარე - სატურაცია: 34A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,
ტიპი: Molded, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.55A,
ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.5A,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.4µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.65A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.15A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.52A,
ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA, მიმდინარე - სატურაცია: 680mA,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.05A,
ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.25A,
ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.9A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.95A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.85A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
