ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.58A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 530mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,
ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.82A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.75A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.12A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.04A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA, მიმდინარე - სატურაცია: 480mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.27A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.65A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.61A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.14A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.85A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 210mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.9A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.05A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.6A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA, მიმდინარე - სატურაცია: 740mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 290mA,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.85A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 460mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.95A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.55A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
