ფიქსირებული ინდუქტორები

TYS40184R7M-10

TYS40184R7M-10

ნაწილი საფონდო: 166900

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
TYS4018221M-10

TYS4018221M-10

ნაწილი საფონდო: 144343

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,

სასურველი
TYS40182R2M-10

TYS40182R2M-10

ნაწილი საფონდო: 181574

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.65A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.7A,

სასურველი
TYS30153R3M-10

TYS30153R3M-10

ნაწილი საფონდო: 131304

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.36A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.32A,

სასურველი
TYS30152R2N-10

TYS30152R2N-10

ნაწილი საფონდო: 126510

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,

სასურველი
TYS30121R5N-10

TYS30121R5N-10

ნაწილი საფონდო: 115384

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.01A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.62A,

სასურველი
TYS30126R8M-10

TYS30126R8M-10

ნაწილი საფონდო: 180024

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,

სასურველი
TYS30154R7M-10

TYS30154R7M-10

ნაწილი საფონდო: 127219

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.09A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
TYS3015220M-10

TYS3015220M-10

ნაწილი საფონდო: 177823

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 520mA,

სასურველი
TYS30122R2N-10

TYS30122R2N-10

ნაწილი საფონდო: 134814

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
TYS4018470M-10

TYS4018470M-10

ნაწილი საფონდო: 170359

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,

სასურველი
TYS3015150M-10

TYS3015150M-10

ნაწილი საფონდო: 152379

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 660mA,

სასურველი
TYS3015330M-10

TYS3015330M-10

ნაწილი საფონდო: 132265

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA, მიმდინარე - სატურაცია: 440mA,

სასურველი
TYS4018151M-10

TYS4018151M-10

ნაწილი საფონდო: 137256

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 310mA,

სასურველი
TYS40186R8M-10

TYS40186R8M-10

ნაწილი საფონდო: 106159

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.06A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,

სასურველი
TYS4018680M-10

TYS4018680M-10

ნაწილი საფონდო: 108658

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,

სასურველი
MGV252012S2R2M-10

MGV252012S2R2M-10

ნაწილი საფონდო: 25875

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MGV252010SR47M-10

MGV252010SR47M-10

ნაწილი საფონდო: 25879

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.7A,

სასურველი
MGV252012S1R0M-10

MGV252012S1R0M-10

ნაწილი საფონდო: 45212

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.3A,

სასურველი
MGV252012SR47M-10

MGV252012SR47M-10

ნაწილი საფონდო: 24382

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.8A,

სასურველი
MGV252010S1R0M-10

MGV252010S1R0M-10

ნაწილი საფონდო: 32298

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,

სასურველი
MGV252010S2R2M-10

MGV252010S2R2M-10

ნაწილი საფონდო: 32348

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,

სასურველი
MGV201610S2R2M-10

MGV201610S2R2M-10

ნაწილი საფონდო: 25838

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,

სასურველი
MGV252010SR33M-10

MGV252010SR33M-10

ნაწილი საფონდო: 32327

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.3A,

სასურველი
MGV201610S1R5M-10

MGV201610S1R5M-10

ნაწილი საფონდო: 25833

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,

სასურველი
MGV201610SR47M-10

MGV201610SR47M-10

ნაწილი საფონდო: 25885

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.1A,

სასურველი
MGV201610S1R0M-10

MGV201610S1R0M-10

ნაწილი საფონდო: 32336

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.9A,

სასურველი
MGV2520101R5M-10

MGV2520101R5M-10

ნაწილი საფონდო: 32289

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,

სასურველი
MGV252010R47M-10

MGV252010R47M-10

ნაწილი საფონდო: 32291

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.7A,

სასურველი
MGV2520124R7M-10

MGV2520124R7M-10

ნაწილი საფონდო: 25810

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
MGV252010R22M-10

MGV252010R22M-10

ნაწილი საფონდო: 25835

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.9A,

სასურველი
MGV2016102R2M-10

MGV2016102R2M-10

ნაწილი საფონდო: 25876

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
MGV2520102R2M-10

MGV2520102R2M-10

ნაწილი საფონდო: 25857

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,

სასურველი
MGV252012R47M-10

MGV252012R47M-10

ნაწილი საფონდო: 32344

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.3A,

სასურველი
MGV2520121R5M-10

MGV2520121R5M-10

ნაწილი საფონდო: 25838

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,

სასურველი
MGV2520122R2M-10

MGV2520122R2M-10

ნაწილი საფონდო: 24345

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.27A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,

სასურველი