ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.65A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.85A,
ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.34A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.84A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.22A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.93A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.59A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.75A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 790mA,
ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.85A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.9A,
ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.04A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.61A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.51A,
