ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 220mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.32A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.04A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.95A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.97A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.9A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.34A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.35A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.12A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.72A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.8A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.24A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA, მიმდინარე - სატურაცია: 360mA,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 940mA,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.87A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.23A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.45A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.36A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,
