ფიქსირებული ინდუქტორები

MGV03022R2M-10

MGV03022R2M-10

ნაწილი საფონდო: 16234

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.7A,

სასურველი
MGV04021R2M-10

MGV04021R2M-10

ნაწილი საფონდო: 9994

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.8A,

სასურველი
MGA0603R68M-10

MGA0603R68M-10

ნაწილი საფონდო: 13247

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15A, მიმდინარე - სატურაცია: 24A,

სასურველი
MGV04024R7M-10

MGV04024R7M-10

ნაწილი საფონდო: 16205

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MGV0402220M-10

MGV0402220M-10

ნაწილი საფონდო: 16241

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
MGV0402150M-10

MGV0402150M-10

ნაწილი საფონდო: 9984

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
MGV04123R3M-10

MGV04123R3M-10

ნაწილი საფონდო: 21608

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,

სასურველი
MGV0302R47M-10

MGV0302R47M-10

ნაწილი საფონდო: 16257

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
MGV0302100M-10

MGV0302100M-10

ნაწილი საფონდო: 16211

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,

სასურველი
MGV04126R8M-10

MGV04126R8M-10

ნაწილი საფონდო: 21644

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
MGV04124R7M-10

MGV04124R7M-10

ნაწილი საფონდო: 21670

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
MGV04122R2M-10

MGV04122R2M-10

ნაწილი საფონდო: 21690

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MGV0402R68M-10

MGV0402R68M-10

ნაწილი საფონდო: 16300

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
MGV0603100M-10

MGV0603100M-10

ნაწილი საფონდო: 4357

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
MGV06256R8M-10

MGV06256R8M-10

ნაწილი საფონდო: 193754

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 8A,

სასურველი
MGV06258R2M-10

MGV06258R2M-10

ნაწილი საფონდო: 6524

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
MGV06031R5M-10

MGV06031R5M-10

ნაწილი საფონდო: 8697

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV0602R47M-10

MGV0602R47M-10

ნაწილი საფონდო: 9916

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV0603R22N-10

MGV0603R22N-10

ნაწილი საფონდო: 8633

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
MGV06031R0M-10

MGV06031R0M-10

ნაწილი საფონდო: 4384

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
MGV06022R2M-10

MGV06022R2M-10

ნაწილი საფონდო: 187069

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 11.5A,

სასურველი
MGV0602R68M-10

MGV0602R68M-10

ნაწილი საფონდო: 9968

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 17A,

სასურველი
MGV06251R5M-10

MGV06251R5M-10

ნაწილი საფონდო: 6533

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,

სასურველი
MGV06021R5M-10

MGV06021R5M-10

ნაწილი საფონდო: 6505

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV0603150M-10

MGV0603150M-10

ნაწილი საფონდო: 4399

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
MGV0603R33M-10

MGV0603R33M-10

ნაწილი საფონდო: 8612

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,

სასურველი
MGV0603330M-10

MGV0603330M-10

ნაწილი საფონდო: 4391

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
MGV0603R47M-10

MGV0603R47M-10

ნაწილი საფონდო: 8678

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 26A,

სასურველი
MGV06036R8M-10

MGV06036R8M-10

ნაწილი საფონდო: 4321

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 8A,

სასურველი
MGV0602R33M-10

MGV0602R33M-10

ნაწილი საფონდო: 9953

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV06021R0M-10

MGV06021R0M-10

ნაწილი საფონდო: 9923

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
MGV0603220M-10

MGV0603220M-10

ნაწილი საფონდო: 4330

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MGV06253R3M-10

MGV06253R3M-10

ნაწილი საფონდო: 6515

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV0603R68M-10

MGV0603R68M-10

ნაწილი საფონდო: 8669

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,

სასურველი
MGV06252R2M-10

MGV06252R2M-10

ნაწილი საფონდო: 9967

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
MGV06254R7M-10

MGV06254R7M-10

ნაწილი საფონდო: 9930

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი