ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.32A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.76A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.75A,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,
ინდუქცია: 6.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.43A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA, მიმდინარე - სატურაცია: 560mA,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.1A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.35A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.3A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 960mA, მიმდინარე - სატურაცია: 970mA,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.9A,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.11A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.65A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.09A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.95A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ინდუქცია: 4.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.97A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.6A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.78A,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 420mA,
ტიპი: Multilayer, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
