ფიქსირებული ინდუქტორები

1XC0394-2T0-10

1XC0394-2T0-10

ნაწილი საფონდო: 88

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 19A,

სასურველი
1XC0394-0T0-10

1XC0394-0T0-10

ნაწილი საფონდო: 133

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A,

სასურველი
1XC0394-1T0-10

1XC0394-1T0-10

ნაწილი საფონდო: 99

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 12.5A,

სასურველი
1XC0236-2T0-10

1XC0236-2T0-10

ნაწილი საფონდო: 136

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A,

სასურველი
1XC0236-1T0-10

1XC0236-1T0-10

ნაწილი საფონდო: 145

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A,

სასურველი
1XC0236-0T0-10

1XC0236-0T0-10

ნაწილი საფონდო: 89

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A,

სასურველი
1XC0118-1T0-10

1XC0118-1T0-10

ნაწილი საფონდო: 112

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,

სასურველი
1XC0118-2T0-10

1XC0118-2T0-10

ნაწილი საფონდო: 139

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,

სასურველი
1XC0118-3T0-10

1XC0118-3T0-10

ნაწილი საფონდო: 142

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A,

სასურველი
MGV1203R60M-10

MGV1203R60M-10

ნაწილი საფონდო: 8407

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 600nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 29A, მიმდინარე - სატურაცია: 51A,

სასურველი
MGV12057R8M-10

MGV12057R8M-10

ნაწილი საფონდო: 8409

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 7.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV0502R22M-10

MGV0502R22M-10

ნაწილი საფონდო: 8393

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
MGV0603R10M-10

MGV0603R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8301

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 32.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 60A,

სასურველი
MGV12033R3M-10

MGV12033R3M-10

ნაწილი საფონდო: 8236

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 27A,

სასურველი
MGV1203R10M-10

MGV1203R10M-10

ნაწილი საფონდო: 9932

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 43A, მიმდინარე - სატურაცია: 84A,

სასურველი
MGV12034R7M-10

MGV12034R7M-10

ნაწილი საფონდო: 110806

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 24A,

სასურველი
MGV12071R2M-10

MGV12071R2M-10

ნაწილი საფონდო: 8247

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 30A, მიმდინარე - სატურაცია: 48A,

სასურველი
MGV1203R15M-10

MGV1203R15M-10

ნაწილი საფონდო: 8379

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 41A, მიმდინარე - სატურაცია: 75A,

სასურველი
MGV06033R3M-10

MGV06033R3M-10

ნაწილი საფონდო: 186991

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 13.5A,

სასურველი
MGV0625R10M-10

MGV0625R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8406

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 30A, მიმდინარე - სატურაცია: 50A,

სასურველი
MGV1004R19M-10

MGV1004R19M-10

ნაწილი საფონდო: 8423

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 190nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 40A, მიმდინარე - სატურაცია: 90A,

სასურველი
MGV1203R82M-10

MGV1203R82M-10

ნაწილი საფონდო: 8367

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 25A, მიმდინარე - სატურაცია: 44A,

სასურველი
MGV10043R3M-10

MGV10043R3M-10

ნაწილი საფონდო: 171714

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 18.6A,

სასურველი
MGV1203R47M-10

MGV1203R47M-10

ნაწილი საფონდო: 9862

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 32A, მიმდინარე - სატურაცია: 55A,

სასურველი
MGV1203R68M-10

MGV1203R68M-10

ნაწილი საფონდო: 8341

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 28A, მიმდინარე - სატურაცია: 49A,

სასურველი
MGV12031R0M-10

MGV12031R0M-10

ნაწილი საფონდო: 8402

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 24A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
MGV0402R10M-10

MGV0402R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8354

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
MGV06034R7M-10

MGV06034R7M-10

ნაწილი საფონდო: 8394

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
MGV06038R2M-10

MGV06038R2M-10

ნაწილი საფონდო: 8440

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.5A,

სასურველი
MGV1203R22M-10

MGV1203R22M-10

ნაწილი საფონდო: 8405

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 38.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 65A,

სასურველი
MGV1004100M-10

MGV1004100M-10

ნაწილი საფონდო: 171738

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGV0502R10M-10

MGV0502R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8339

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17A, მიმდინარე - სატურაცია: 45A,

სასურველი
MGV12036R8M-10

MGV12036R8M-10

ნაწილი საფონდო: 8364

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV1203100M-10

MGV1203100M-10

ნაწილი საფონდო: 8416

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
MGV05024R7M-10

MGV05024R7M-10

ნაწილი საფონდო: 160225

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
MGV1207R10M-10

MGV1207R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8400

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 60A, მიმდინარე - სატურაცია: 120A,

სასურველი