ფიქსირებული ინდუქტორები

MGV1203R33M-10

MGV1203R33M-10

ნაწილი საფონდო: 8330

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 36.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 62A,

სასურველი
MGV0603R22M-10

MGV0603R22M-10

ნაწილი საფონდო: 8396

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
MGV1205R10M-10

MGV1205R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8347

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 55A, მიმდინარე - სატურაცია: 118A,

სასურველი
MGV0602R10M-10

MGV0602R10M-10

ნაწილი საფონდო: 8347

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 18A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
MGV04021R0M-10

MGV04021R0M-10

ნაწილი საფონდო: 161384

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
DI2220V301R-00

DI2220V301R-00

ნაწილი საფონდო: 9805

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 300nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A,

სასურველი
MGV12038R2M-10

MGV12038R2M-10

ნაწილი საფონდო: 9667

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
MGV12035R6M-10

MGV12035R6M-10

ნაწილი საფონდო: 5983

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 19A,

სასურველი
MGV0503R10M-10

MGV0503R10M-10

ნაწილი საფონდო: 6007

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 27A,

სასურველი
MGV12031R8M-10

MGV12031R8M-10

ნაწილი საფონდო: 6393

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,

სასურველი
MGV12032R2M-10

MGV12032R2M-10

ნაწილი საფონდო: 9631

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 16A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,

სასურველი
MGV0502R33M-10

MGV0502R33M-10

ნაწილი საფონდო: 5979

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,

სასურველი
MGV0602R82M-10

MGV0602R82M-10

ნაწილი საფონდო: 5405

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 17A,

სასურველი
MGV0602R22M-10

MGV0602R22M-10

ნაწილი საფონდო: 9572

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A, მიმდინარე - სატურაცია: 26A,

სასურველი
MGV0602R15M-10

MGV0602R15M-10

ნაწილი საფონდო: 9453

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15A, მიმდინარე - სატურაცია: 38A,

სასურველი
IW1812A105R-K0

IW1812A105R-K0

ნაწილი საფონდო: 3011

ინდუქცია: 1mH,

სასურველი
LDZ2817220K-10

LDZ2817220K-10

ნაწილი საფონდო: 8919

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 26A, მიმდინარე - სატურაცია: 16.4A,

სასურველი
LDZ2817330K-10

LDZ2817330K-10

ნაწილი საფონდო: 8956

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 26A, მიმდინარე - სატურაცია: 10.3A,

სასურველი
LDZ28176R8K-10

LDZ28176R8K-10

ნაწილი საფონდო: 9738

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 26A, მიმდინარე - სატურაცია: 56A,

სასურველი
MGV1707820M-10

MGV1707820M-10

ნაწილი საფონდო: 3222

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGV1707330M-10

MGV1707330M-10

ნაწილი საფონდო: 3219

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,

სასურველი
MGV1707470M-10

MGV1707470M-10

ნაწილი საფონდო: 3229

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
MGV1707150M-10

MGV1707150M-10

ნაწილი საფონდო: 3195

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 27A,

სასურველი
MGV17076R8M-10

MGV17076R8M-10

ნაწილი საფონდო: 3220

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 19A, მიმდინარე - სატურაცია: 39A,

სასურველი
MGV1707101M-10

MGV1707101M-10

ნაწილი საფონდო: 2628

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGV17072R2M-10

MGV17072R2M-10

ნაწილი საფონდო: 3214

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 43.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 62A,

სასურველი
MGV17074R7M-10

MGV17074R7M-10

ნაწილი საფონდო: 3229

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 25A, მიმდინარე - სატურაცია: 50A,

სასურველი
MGV1707560M-10

MGV1707560M-10

ნაწილი საფონდო: 2604

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 15A,

სასურველი
MGV1707100M-10

MGV1707100M-10

ნაწილი საფონდო: 3278

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 16.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,

სასურველი
MGV17071R5M-10

MGV17071R5M-10

ნაწილი საფონდო: 3196

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 47A, მიმდინარე - სატურაცია: 65A,

სასურველი
MGV17073R3M-10

MGV17073R3M-10

ნაწილი საფონდო: 3257

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 28A, მიმდინარე - სატურაცია: 54A,

სასურველი
MGV1707680M-10

MGV1707680M-10

ნაწილი საფონდო: 2619

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 13A,

სასურველი
MGV1707220M-10

MGV1707220M-10

ნაწილი საფონდო: 2643

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 23A,

სასურველი
MGV17071R0M-10

MGV17071R0M-10

ნაწილი საფონდო: 7806

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 52A, მიმდინარე - სატურაცია: 70A,

სასურველი
MGV1207R82M-10

MGV1207R82M-10

ნაწილი საფონდო: 8645

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 33A, მიმდინარე - სატურაცია: 50A,

სასურველი
MGV1207R40M-10

MGV1207R40M-10

ნაწილი საფონდო: 8639

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 400nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 44A, მიმდინარე - სატურაცია: 64A,

სასურველი