დენის დრაივერის მოდულები

STGIPQ3H60T-HLS

ნაწილი საფონდო: 12771

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

STGIPS30C60-H

ნაწილი საფონდო: 2655

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIF10CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 4422

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

STGIPL20K60

ნაწილი საფონდო: 4477

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

STGIPL14K60-S

ნაწილი საფონდო: 1935

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.187", 30.15mm),

STGIPS10K60A

ნაწილი საფონდო: 6780

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

M63994P

ნაწილი საფონდო: 28392

PSM03S93E5-A

ნაწილი საფონდო: 5359

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PSS35S92F6-AG

ნაწილი საფონდო: 1935

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PM75RL1B120

ნაწილი საფონდო: 347

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75RL1B060

ნაწილი საფონდო: 987

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM150RL1A120

ნაწილი საფონდო: 228

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PSS50SA2FT

ნაწილი საფონდო: 1033

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PM200CLA120

ნაწილი საფონდო: 191

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21962-4S

ნაწილი საფონდო: 3715

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PS12034

ნაწილი საფონდო: 966

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 28-PowerDIP Module (2.717", 69.00mm),

PS21962-4C

ნაწილი საფონდო: 3707

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PM100CL1A120

ნაწილი საფონდო: 249

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

IRAM136-0760A2

ნაწილი საფონდო: 956

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IRAM336-025SB3

ნაწილი საფონდო: 969

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, პაკეტი / კორპუსი: 19-PowerSSIP Module, Formed Leads,

IRAM136-1561A2

ნაწილი საფონდო: 4657

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IKCM15H60GAXKMA2

ნაწილი საფონდო: 6281

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

FPAM50LH60

ნაწილი საფონდო: 2206

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FNB41560

ნაწილი საფონდო: 6571

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FNB33060T

ნაწილი საფონდო: 2773

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50250AS

ნაწილი საფონდო: 14435

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

STK5Q4U363J-E

ნაწილი საფონდო: 7998

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.165", 29.60mm), 23 Leads,

FSBB10CH120DF

ნაწილი საფონდო: 2959

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNB35060T

ნაწილი საფონდო: 2067

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNA41060B2

ნაწილი საფონდო: 7961

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FCBS0550

ნაწილი საფონდო: 4055

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNB40560

ნაწილი საფონდო: 7162

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FNA51560T3

ნაწილი საფონდო: 5712

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

FSB50660SFT

ნაწილი საფონდო: 6819

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.1A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

GHIS030A060B1P2

ნაწილი საფონდო: 1727

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GCMS040A120S1-E1

ნაწილი საფონდო: 1108

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,