Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

1N6660
Microsemi Corporation

1N6660

ნაწილი საფონდო: 559

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
161CMQ040
SMC Diode Solutions

161CMQ040

ნაწილი საფონდო: 2930

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
16CTQ200
SMC Diode Solutions

16CTQ200

ნაწილი საფონდო: 111096

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
16CTQ150
SMC Diode Solutions

16CTQ150

ნაწილი საფონდო: 165466

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
161CMQ035
SMC Diode Solutions

161CMQ035

ნაწილი საფონდო: 2957

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
12CTQ040STR
SMC Diode Solutions

12CTQ040STR

ნაწილი საფონდო: 187844

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
160CMQ035
SMC Diode Solutions

160CMQ035

ნაწილი საფონდო: 2901

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
10CTQ150STR
SMC Diode Solutions

10CTQ150STR

ნაწილი საფონდო: 128111

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
16CTQ080
SMC Diode Solutions

16CTQ080

ნაწილი საფონდო: 124974

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
161CMQ045
SMC Diode Solutions

161CMQ045

ნაწილი საფონდო: 2935

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
166CMQ200
SMC Diode Solutions

166CMQ200

ნაწილი საფონდო: 2944

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
160CMQ040
SMC Diode Solutions

160CMQ040

ნაწილი საფონდო: 2929

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
169CMQ150
SMC Diode Solutions

169CMQ150

ნაწილი საფონდო: 2925

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
169CMQ135
SMC Diode Solutions

169CMQ135

ნაწილი საფონდო: 2892

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
163CMQ100
SMC Diode Solutions

163CMQ100

ნაწილი საფონდო: 2627

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.

1PS66SB82,115

ნაწილი საფონდო: 141995

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 30mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.

1PS88SB48,115

ნაწილი საფონდო: 185243

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS374(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS374(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 104

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS398TE85LF

ნაწილი საფონდო: 103828

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS383(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS383(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 189087

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS309(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 132008

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS384TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS384TE85LF

ნაწილი საფონდო: 156547

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS308(TE85L,F

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის კონფიგურაცია: 4 Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS392,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS392,LF

ნაწილი საფონდო: 145638

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS402TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS402TE85LF

ნაწილი საფონდო: 78

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS382TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS382TE85LF

ნაწილი საფონდო: 149

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS226,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS226,LF

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS362TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS362TE85LF

ნაწილი საფონდო: 187

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS378(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS378(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 135022

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301,LF

ნაწილი საფონდო: 167193

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS423(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS423(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 199611

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS300,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS300,LF

ნაწილი საფონდო: 105400

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS393,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS393,LF

ნაწილი საფონდო: 187666

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1SS181-TP
Micro Commercial Co

1SS181-TP

ნაწილი საფონდო: 178386

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS184-TP
Micro Commercial Co

1SS184-TP

ნაწილი საფონდო: 183265

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1SS226-TP
Micro Commercial Co

1SS226-TP

ნაწილი საფონდო: 165282

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ