ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიჟუქცია

2N6027

2N6027

ნაწილი საფონდო: 76016

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 6V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 1.6V, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 50µA,

2N6028

2N6028

ნაწილი საფონდო: 75982

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 6V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

CMPP6028 TR

CMPP6028 TR

ნაწილი საფონდო: 54052

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 167mW, ძაბვა - გამომავალი: 6V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6028RLRMG

2N6028RLRMG

ნაწილი საფონდო: 2509

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6028RLRPG

2N6028RLRPG

ნაწილი საფონდო: 2537

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6027RL1G

2N6027RL1G

ნაწილი საფონდო: 2538

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 1.6V, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 50µA,

2N6028RLRP

2N6028RLRP

ნაწილი საფონდო: 2531

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6027RL1

2N6027RL1

ნაწილი საფონდო: 2482

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 1.6V, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 50µA,

2N6028G

2N6028G

ნაწილი საფონდო: 2534

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6027G

2N6027G

ნაწილი საფონდო: 2493

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 1.6V, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 50µA,

2N6028RLRAG

2N6028RLRAG

ნაწილი საფონდო: 2505

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6027RLRAG

2N6027RLRAG

ნაწილი საფონდო: 2518

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 1.6V, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 50µA,

2N6028RLRA

2N6028RLRA

ნაწილი საფონდო: 2522

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 600mV, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 25µA,

2N6027RLRA

2N6027RLRA

ნაწილი საფონდო: 2457

Ვოლტაჟი: 40V, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW, ძაბვა - გამომავალი: 11V, ძაბვა - ოფსეტური (Vt): 1.6V, მიმდინარე - ანოდის გაჟონვის კარიბჭე (იგაო): 10nA, მიმდინარე - ხეობა (IV): 50µA,