დენის დრაივერის მოდულები

2PS13512E43W43079NOSA1

ნაწილი საფონდო: 123

98-0290

ნაწილი საფონდო: 951

IKCM10B60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 7794

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

AOZ5166QI

ნაწილი საფონდო: 182

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 60A, პაკეტი / კორპუსი: 40-PowerWFQFN Module,

AOZ5166QI-01

ნაწილი საფონდო: 198

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 60A, პაკეტი / კორპუსი: 40-PowerWFQFN Module,

AOZ5038QI

ნაწილი საფონდო: 220

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 50A, პაკეტი / კორპუსი: 31-PowerWFQFN Module,

AOZ5039QI

ნაწილი საფონდო: 211

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 50A, პაკეტი / კორპუსი: 31-PowerWFQFN Module,

AOZ5239QI

ნაწილი საფონდო: 191

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 50A, პაკეტი / კორპუსი: 31-PowerWFQFN Module,

AOZ5047QIS-01

ნაწილი საფონდო: 245

AOZ5049QI

ნაწილი საფონდო: 948

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 35A, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerTFQFN Module,

APTLGT300A1208G

ნაწილი საფონდო: 254

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 440A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 6-PowerSIP Module,

APTLGT400A608G

ნაწილი საფონდო: 249

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 600A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 6-PowerSIP Module,

APTLGL325A1208G

ნაწილი საფონდო: 352

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 420A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 6-PowerSIP Module,

APTLGF300A1208G

ნაწილი საფონდო: 947

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 400A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 6-PowerSIP Module,

APTLGF350A608G

ნაწილი საფონდო: 3180

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 430A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 6-PowerSIP Module,

BM63764S-VC

ნაწილი საფონდო: 3614

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

BM63364S-VA

ნაწილი საფონდო: 3485

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

BM63763S-VC

ნაწილი საფონდო: 3632

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

BM63763S-VA

ნაწილი საფონდო: 4010

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

BM63363S-VA

ნაწილი საფონდო: 4068

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

BM63363S-VC

ნაწილი საფონდო: 3985

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

BM63364S-VC

ნაწილი საფონდო: 3465

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

BM63767S-VC

ნაწილი საფონდო: 745

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

BM63767S-VA

ნაწილი საფონდო: 786

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

BM63764S-VA

ნაწილი საფონდო: 849

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

FSBB15CH60F

ნაწილი საფონდო: 4965

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNA41560

ნაწილი საფონდო: 6420

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FNB81060T3

ნაწილი საფონდო: 7793

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.815", 20.70mm),

PM50RLB060

ნაწილი საფონდო: 461

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50B6L1C060

ნაწილი საფონდო: 506

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM150CL1A120

ნაწილი საფონდო: 202

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21964-4A

ნაწილი საფონდო: 2500

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PM150CVA120

ნაწილი საფონდო: 1024

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200RL1A060

ნაწილი საფონდო: 280

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

STGIB8CH60TS-E

ნაწილი საფონდო: 300

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

STGIF7CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 5782

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),