დენის დრაივერის მოდულები

IGCM04B60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6088

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM06B60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 7951

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM136-0760A

ნაწილი საფონდო: 905

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IRAM256-1067A3

ნაწილი საფონდო: 1016

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IRAM136-3063B2

ნაწილი საფონდო: 2334

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads,

IRAMS10UP60B-W

ნაწილი საფონდო: 4666

პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM20L60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4434

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IFCM10S60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5236

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 650V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM10B60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 8151

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM15L60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6684

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IFCM10P60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5385

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM06G60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 9374

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM30F60HDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 3825

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM136-0461G

ნაწილი საფონდო: 4996

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 9.4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads,

PSS25SA2FT

ნაწილი საფონდო: 1490

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PS219B3-AS

ნაწილი საფონდო: 2844

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PM150RL1A060

ნაწილი საფონდო: 285

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75CL1B120

ნაწილი საფონდო: 356

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PSS35SA2FT

ნაწილი საფონდო: 1211

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PM75CL1B060

ნაწილი საფონდო: 467

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75CL1A120

ნაწილი საფონდო: 332

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS12032

ნაწილი საფონდო: 972

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 28-PowerDIP Module (2.717", 69.00mm),

PP600B120

ნაწილი საფონდო: 996

PSS20S92F6-AG

ნაწილი საფონდო: 3037

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PSM05S93E5-A

ნაწილი საფონდო: 4275

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PM50CL1A120

ნაწილი საფონდო: 346

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

STGIPNS3HD60-H

ნაწილი საფონდო: 152

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

STGIPS10K60A2

ნაწილი საფონდო: 2342

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

FNA40860B2

ნაწილი საფონდო: 5294

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 8A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FSBB20CH60C

ნაწილი საფონდო: 4513

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FPDB40PH60B

ნაწილი საფონდო: 3876

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNB81560T3

ნაწილი საფონდო: 1173

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.815", 20.70mm),

FSBB30CH60C

ნაწილი საფონდო: 3850

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

GHIS100A120S1-E1

ნაწილი საფონდო: 982

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.25kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,

GCMS080A120B1H1

ნაწილი საფონდო: 493

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Full Bridge, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

IXIDM1401_1505_M

ნაწილი საფონდო: 233

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 15V, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Module,