დენის დრაივერის მოდულები

IRAMT15TP60A

IRAMT15TP60A

ნაწილი საფონდო: 5405

პაკეტი / კორპუსი: Module,

IRAM256-1067A

IRAM256-1067A

ნაწილი საფონდო: 4098

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IRAM256-1567A2

IRAM256-1567A2

ნაწილი საფონდო: 4297

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IRAM538-1065A

IRAM538-1065A

ნაწილი საფონდო: 7831

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V,

IGCM10B60GAXKMA1

IGCM10B60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 981

IRAM538-0865A

IRAM538-0865A

ნაწილი საფონდო: 8454

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 8A, Ვოლტაჟი: 600V,

IKCM20L60HDXKMA1

IKCM20L60HDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4428

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

GCMS020A120B1H1

GCMS020A120B1H1

ნაწილი საფონდო: 166

ტიპი: MOSFET, მიმდინარე: 95A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GHIS050A120T1P2

GHIS050A120T1P2

ნაწილი საფონდო: 803

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GHIS050A060B3P2

GHIS050A060B3P2

ნაწილი საფონდო: 1307

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GCMS008A120B1B1

GCMS008A120B1B1

ნაწილი საფონდო: 206

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GHIS075A120T2P2

GHIS075A120T2P2

ნაწილი საფონდო: 597

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GCMS004A120S7B1

GCMS004A120S7B1

ნაწილი საფონდო: 115

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 480A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

FPAB20BH60B

FPAB20BH60B

ნაწილი საფონდო: 4475

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSBB20CH120DF

FSBB20CH120DF

ნაწილი საფონდო: 433

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50325AT

FSB50325AT

ნაწილი საფონდო: 18254

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.7A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FNA40560

FNA40560

ნაწილი საფონდო: 7699

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FNA22512A

FNA22512A

ნაწილი საფონდო: 1064

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm),

FNB51560T1

FNB51560T1

ნაწილი საფონდო: 6215

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

FNA41560B2

FNA41560B2

ნაწილი საფონდო: 7530

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FNC42060F2

FNC42060F2

ნაწილი საფონდო: 6202

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FSBB30CH60D

FSBB30CH60D

ნაწილი საფონდო: 2623

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FPDB60PH60B

FPDB60PH60B

ნაწილი საფონდო: 2362

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50450AT

FSB50450AT

ნაწილი საფონდო: 16352

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FNB51560TD1

FNB51560TD1

ნაწილი საფონდო: 6680

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

PS219B2-AS

PS219B2-AS

ნაწილი საფონდო: 3055

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PM400DV1A060

PM400DV1A060

ნაწილი საფონდო: 419

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 400A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200CL1A060

PM200CL1A060

ნაწილი საფონდო: 250

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21267-AP

PS21267-AP

ნაწილი საფონდო: 1722

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PS21562-P

PS21562-P

ნაწილი საფონდო: 908

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PS21997-4A

PS21997-4A

ნაწილი საფონდო: 2169

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PSS10S92F6-AG

PSS10S92F6-AG

ნაწილი საფონდო: 3824

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PM25RL1C120

PM25RL1C120

ნაწილი საფონდო: 537

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21563-SP

PS21563-SP

ნაწილი საფონდო: 959

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 37-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PSS15SA2FT

PSS15SA2FT

ნაწილი საფონდო: 1670

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

STIPQ5M60T-HL

STIPQ5M60T-HL

ნაწილი საფონდო: 215

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 80mA, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),