დენის დრაივერის მოდულები

IGCM20F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5472

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM06F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6519

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM136-3023B2

ნაწილი საფონდო: 2821

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 150V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads,

IFCM20U65GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4266

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 650V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM10F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6212

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IFCM30U65GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4123

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 650V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM630-1062F2

ნაწილი საფონდო: 969

IRAM136-1060A

ნაწილი საფონდო: 930

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IGCM04F60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 7448

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

GCMS080A120B3C1

ნაწილი საფონდო: 302

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GHIS200A120S3B1

ნაწილი საფონდო: 330

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 400A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GHIS100A120T2P2

ნაწილი საფონდო: 466

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM600DV1A060

ნაწილი საფონდო: 287

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 600A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75CL1A060

ნაწილი საფონდო: 423

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS22A76

ნაწილი საფონდო: 1014

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PS22A78-E

ნაწილი საფონდო: 790

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PS21964-4

ნაწილი საფონდო: 2319

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PS21997-4

ნაწილი საფონდო: 2155

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PM50CLB060

ნაწილი საფონდო: 529

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21245-EP

ნაწილი საფონდო: 974

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 41-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm), 26 Leads,

PS21963-4E

ნაწილი საფონდო: 3434

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 8A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PM300CL1A060

ნაწილი საფონდო: 262

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS12038

ნაწილი საფონდო: 5365

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (3.032", 77.00mm),

STGIB15CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 4795

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

STGIPS30C60

ნაწილი საფონდო: 2968

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIB10CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 5773

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

STGIPS30C60T-H

ნაწილი საფონდო: 2657

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STIPQ5M60T-HZ

ნაწილი საფონდო: 346

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 80mA, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

FNA23512A

ნაწილი საფონდო: 911

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm),

FBM402D018A0EC

ნაწილი საფონდო: 934

პაკეტი / კორპუსი: Module,

FSB50450B

ნაწილი საფონდო: 1751

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2.2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),

FSB50550TB

ნაწილი საფონდო: 979

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.8A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FSB50250US

ნაწილი საფონდო: 17016

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FPAM30LH60

ნაწილი საფონდო: 2296

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FNE41060

ნაწილი საფონდო: 5513

პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FPAB30BH60B

ნაწილი საფონდო: 6265

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),