დენის დრაივერის მოდულები

VLA539-01

VLA539-01

ნაწილი საფონდო: 190

ტიპი: IGBT, Ვოლტაჟი: 15V, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 30-SIP Module, 21 Leads,

VLA555-02R

VLA555-02R

ნაწილი საფონდო: 124

ტიპი: IGBT, მიმდინარე: 12mA, Ვოლტაჟი: 5V, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Module,

VLA536-01R

VLA536-01R

ნაწილი საფონდო: 684

ტიპი: IGBT, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 18V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21244-EP

PS21244-EP

ნაწილი საფონდო: 915

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 41-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm), 26 Leads,

PM100RL1B060

PM100RL1B060

ნაწილი საფონდო: 434

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50CL1B060

PM50CL1B060

ნაწილი საფონდო: 546

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS51789

PS51789

ნაწილი საფონდო: 1532

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm),

PM50B5L1C060

PM50B5L1C060

ნაწილი საფონდო: 484

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50CL1A060

PM50CL1A060

ნაწილი საფონდო: 552

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM25RL1A120

PM25RL1A120

ნაწილი საფონდო: 578

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21265-AP

PS21265-AP

ნაწილი საფონდო: 2074

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PS21965-4

PS21965-4

ნაწილი საფონდო: 1872

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

FSBB15CH120DF

FSBB15CH120DF

ნაწილი საფონდო: 443

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50660SF

FSB50660SF

ნაწილი საფონდო: 6959

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.1A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ნაწილი საფონდო: 2106

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSB50550U

FSB50550U

ნაწილი საფონდო: 3175

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),

FNF51560TD1

FNF51560TD1

ნაწილი საფონდო: 6067

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

FSAM50SM60A

FSAM50SM60A

ნაწილი საფონდო: 1258

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSBB30CH60CT

FSBB30CH60CT

ნაწილი საფონდო: 3196

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50760SF

FSB50760SF

ნაწილი საფონდო: 6975

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),

GHIS030A060B2P2

GHIS030A060B2P2

ნაწილი საფონდო: 1670

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3

ნაწილი საფონდო: 459

მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.7kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,

GHIS080A120S1-E1

GHIS080A120S1-E1

ნაწილი საფონდო: 1415

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 160A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,

GHIS060A120S1-E1

GHIS060A120S1-E1

ნაწილი საფონდო: 1940

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 120A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,

GCMS012A120S1-E1

GCMS012A120S1-E1

ნაწილი საფონდო: 354

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,

STIPN1M50-H

STIPN1M50-H

ნაწილი საფონდო: 11211

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

STGIPS20C60-H

STGIPS20C60-H

ნაწილი საფონდო: 5400

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPS20K60

STGIPS20K60

ნაწილი საფონდო: 3813

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 17A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPN3H60-H

STGIPN3H60-H

ნაწილი საფონდო: 9331

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

IKCM15L60GDXKMA1

IKCM15L60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5050

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM30F60GDXKMA1

IKCM30F60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 3763

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM15F60GAXKMA1

IKCM15F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 8771

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM10L60GAXKMA1

IKCM10L60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6274

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMT15TP60A-2

IRAMT15TP60A-2

ნაწილი საფონდო: 5461

პაკეტი / კორპუსი: Module,

IGCM06B60HAXKMA1

IGCM06B60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 8351

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IXIDM1403_1505_M

IXIDM1403_1505_M

ნაწილი საფონდო: 161

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 15V, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Module,