დენის დრაივერის მოდულები

PM75RLA060

PM75RLA060

ნაწილი საფონდო: 945

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM100CLA060

PM100CLA060

ნაწილი საფონდო: 935

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS11032

PS11032

ნაწილი საფონდო: 926

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 30-PowerDIP Module (1.996", 50.70mm),

PM150CVA060

PM150CVA060

ნაწილი საფონდო: 872

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS12018-A

PS12018-A

ნაწილი საფონდო: 3126

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 36-PowerDIP Module (2.480", 63.00mm),

PS12015-A

PS12015-A

ნაწილი საფონდო: 864

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 36-PowerDIP Module (3.100", 78.75mm),

PM800HSA060

PM800HSA060

ნაწილი საფონდო: 949

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Phase Inverter, მიმდინარე: 800A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP300B060

PP300B060

ნაწილი საფონდო: 975

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge Inverter, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75RSK060

PM75RSK060

ნაწილი საფონდო: 971

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS12014-A

PS12014-A

ნაწილი საფონდო: 978

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 36-PowerDIP Module (3.100", 78.75mm),

PM15CSJ060

PM15CSJ060

ნაწილი საფონდო: 926

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS11016

PS11016

ნაწილი საფონდო: 974

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 36-PowerDIP Module (3.100", 78.75mm),

PM300CVA060

PM300CVA060

ნაწილი საფონდო: 890

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50B6LB060

PM50B6LB060

ნაწილი საფონდო: 918

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP200B060

PP200B060

ნაწილი საფონდო: 981

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge Inverter, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM300RL1A060

PM300RL1A060

ნაწილი საფონდო: 218

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50RSD120

PM50RSD120

ნაწილი საფონდო: 977

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM600HSA120

PM600HSA120

ნაწილი საფონდო: 887

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Phase Inverter, მიმდინარე: 600A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50B5LA060

PM50B5LA060

ნაწილი საფონდო: 888

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200DSA120

PM200DSA120

ნაწილი საფონდო: 876

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

FSB50825AB

FSB50825AB

ნაწილი საფონდო: 12239

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.6A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),

FSBB15CH60B

FSBB15CH60B

ნაწილი საფონდო: 879

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSAM10SH60

FSAM10SH60

ნაწილი საფონდო: 872

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSB50825US

FSB50825US

ნაწილი საფონდო: 8972

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FSBM30SM60A

FSBM30SM60A

ნაწილი საფონდო: 899

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSBB15CH60BT

FSBB15CH60BT

ნაწილი საფონდო: 871

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50450S

FSB50450S

ნაწილი საფონდო: 7856

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FSBS3CH60L

FSBS3CH60L

ნაწილი საფონდო: 874

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSAM30SM60A

FSAM30SM60A

ნაწილი საფონდო: 1453

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSAM15SH60A

FSAM15SH60A

ნაწილი საფონდო: 1483

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSB70250

FSB70250

ნაწილი საფონდო: 21365

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.3A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerLQFN Module,

FSBM20SH60A

FSBM20SH60A

ნაწილი საფონდო: 888

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

STIPNS1M50SDT-H

STIPNS1M50SDT-H

ნაწილი საფონდო: 3173

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

STIPNS2M50-H

STIPNS2M50-H

ნაწილი საფონდო: 856

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

IRAMS10UP60B-3

IRAMS10UP60B-3

ნაწილი საფონდო: 846

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

EMP15P12D

EMP15P12D

ნაწილი საფონდო: 876

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,