დენის დრაივერის მოდულები

FSB50450

ნაწილი საფონდო: 13998

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),

FSAM20SM60A

ნაწილი საფონდო: 1453

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSB50325AS

ნაწილი საფონდო: 15176

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.7A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing, 21 Leads,

FSBF15CH60BT

ნაწილი საფონდო: 3543

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSBF10CH60BT

ნაწილი საფონდო: 5947

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSBB30CH60B

ნაწილი საფონდო: 945

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNF51060TD1

ნაწილი საფონდო: 7079

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

FSB50550BS

ნაწილი საფონდო: 12525

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FSBM10SM60A

ნაწილი საფონდო: 886

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSBM20SM60A

ნაწილი საფონდო: 905

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PM300DSA120

ნაწილი საფონდო: 857

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50RSD060

ნაწილი საფონდო: 915

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM150RSD120

ნაწილი საფონდო: 882

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM30CSJ060

ნაწილი საფონდო: 972

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM25CLB120

ნაწილი საფონდო: 942

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50B4LA060

ნაწილი საფონდო: 3094

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM10CSJ060

ნაწილი საფონდო: 881

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM10RSH120

ნაწილი საფონდო: 901

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM100CLA120

ნაწილი საფონდო: 960

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP300T120

ნაწილი საფონდო: 1587

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP100T060

ნაწილი საფონდო: 954

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM400HSA120

ნაწილი საფონდო: 972

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Phase Inverter, მიმდინარე: 400A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP100B120

ნაწილი საფონდო: 860

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge Inverter, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200RSA060

ნაწილი საფონდო: 952

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM25RLB120

ნაწილი საფონდო: 903

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200RLA060

ნაწილი საფონდო: 946

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP150T120

ნაწილი საფონდო: 891

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM300CLA060

ნაწილი საფონდო: 931

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM300DSA060

ნაწილი საფონდო: 880

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM800HSA120

ნაწილი საფონდო: 956

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Phase Inverter, მიმდინარე: 800A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM10CZF120

ნაწილი საფონდო: 879

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

IKCM10L60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6629

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRSM636-015MATR

ნაწილი საფონდო: 19163

IRAMS10UP60B

ნაწილი საფონდო: 3772

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM20L60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6018

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

STIPNS2M50T-H

ნაწილი საფონდო: 840

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,