დენის დრაივერის მოდულები

PM450CLA060

PM450CLA060

ნაწილი საფონდო: 906

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 450A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS11036

PS11036

ნაწილი საფონდო: 866

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 30-PowerDIP Module (1.996", 50.70mm),

PM300DVA120

PM300DVA120

ნაწილი საფონდო: 944

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21964-4S

PS21964-4S

ნაწილი საფონდო: 2069

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PM25RSK120

PM25RSK120

ნაწილი საფონდო: 924

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75RLB120

PM75RLB120

ნაწილი საფონდო: 916

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75B4LA060

PM75B4LA060

ნაწილი საფონდო: 889

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50CLA120

PM50CLA120

ნაწილი საფონდო: 923

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200DVA120

PM200DVA120

ნაწილი საფონდო: 899

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21963-4

PS21963-4

ნაწილი საფონდო: 3077

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

PM75B4LB060

PM75B4LB060

ნაწილი საფონდო: 3172

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS22052

PS22052

ნაწილი საფონდო: 887

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 28-PowerDIP Module (1.882", 47.80mm),

PS21352-GP

PS21352-GP

ნაწილი საფონდო: 859

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PM30RSF060

PM30RSF060

ნაწილი საფონდო: 921

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM300CLA120

PM300CLA120

ნაწილი საფონდო: 3118

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM150RSA060

PM150RSA060

ნაწილი საფონდო: 5381

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM50RVA120

PM50RVA120

ნაწილი საფონდო: 890

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21962-4

PS21962-4

ნაწილი საფონდო: 884

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

FSAM20SH60A

FSAM20SH60A

ნაწილი საფონდო: 1530

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSAM15SM60A

FSAM15SM60A

ნაწილი საფონდო: 897

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FVP12030IM3LEG1

FVP12030IM3LEG1

ნაწილი საფონდო: 3090

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 120A, Ვოლტაჟი: 300V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 19-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB70625

FSB70625

ნაწილი საფონდო: 21316

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6.9A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerLQFN Module,

FSB50550T

FSB50550T

ნაწილი საფონდო: 8098

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.8A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FSAM10SM60A

FSAM10SM60A

ნაწილი საფონდო: 936

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSAM20SL60

FSAM20SL60

ნაწილი საფონდო: 909

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSBF5CH60B

FSBF5CH60B

ნაწილი საფონდო: 4286

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50325A

FSB50325A

ნაწილი საფონდო: 22030

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.7A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),

FPDB20PH60

FPDB20PH60

ნაწილი საფონდო: 917

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSBM30SH60A

FSBM30SH60A

ნაწილი საფონდო: 872

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSBF10CH60B

FSBF10CH60B

ნაწილი საფონდო: 3583

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50325

FSB50325

ნაწილი საფონდო: 933

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),

IRAMX16UP60A-2

IRAMX16UP60A-2

ნაწილი საფონდო: 3677

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 16A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IRAMS10UP60A-2

IRAMS10UP60A-2

ნაწილი საფონდო: 5307

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM15H60HAXKMA1

IKCM15H60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6576

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

STGIPQ5C60T-HZS

STGIPQ5C60T-HZS

ნაწილი საფონდო: 12016

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

STGIPQ5C60T-HLS

STGIPQ5C60T-HLS

ნაწილი საფონდო: 11989

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),