დენის დრაივერის მოდულები

PS11014

PS11014

ნაწილი საფონდო: 967

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 40-PowerDIP Module (2.835", 72.00mm), 33 Leads,

PP100B060

PP100B060

ნაწილი საფონდო: 944

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge Inverter, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75CSD060

PM75CSD060

ნაწილი საფონდო: 887

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM100RLA120

PM100RLA120

ნაწილი საფონდო: 913

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PP150T060

PP150T060

ნაწილი საფონდო: 905

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM600CLA060

PM600CLA060

ნაწილი საფონდო: 5320

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 600A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75CLB060

PM75CLB060

ნაწილი საფონდო: 898

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS11015

PS11015

ნაწილი საფონდო: 3121

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 40-PowerDIP Module (2.835", 72.00mm), 33 Leads,

PM50RLA120

PM50RLA120

ნაწილი საფონდო: 923

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

MIG600J2CMB1W

MIG600J2CMB1W

ნაწილი საფონდო: 913

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 600A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM100CVA060

PM100CVA060

ნაწილი საფონდო: 958

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM600DSA060

PM600DSA060

ნაწილი საფონდო: 952

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 600A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75B5LA060

PM75B5LA060

ნაწილი საფონდო: 917

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM200CSD060

PM200CSD060

ნაწილი საფონდო: 3128

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21255-EP

PS21255-EP

ნაწილი საფონდო: 908

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 41-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm), 26 Leads,

PP100T120

PP100T120

ნაწილი საფონდო: 926

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS12017-A

PS12017-A

ნაწილი საფონდო: 978

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 25A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 36-PowerDIP Module (2.480", 63.00mm),

PP200B120

PP200B120

ნაწილი საფონდო: 892

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge Inverter, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM100CLB060

PM100CLB060

ნაწილი საფონდო: 891

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

FSB50660SFS

FSB50660SFS

ნაწილი საფონდო: 9382

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.1A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FSBF10CH60BTL

FSBF10CH60BTL

ნაწილი საფონდო: 3721

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50250S

FSB50250S

ნაწილი საფონდო: 935

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FNF50560TD1

FNF50560TD1

ნაწილი საფონდო: 7512

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

FSBS5CH60

FSBS5CH60

ნაწილი საფონდო: 3334

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50250AB

FSB50250AB

ნაწილი საფონდო: 11961

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),

FSBS10CH60F

FSBS10CH60F

ნაწილი საფონდო: 876

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FPDB50PH60

FPDB50PH60

ნაწილი საფონდო: 1581

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50450T

FSB50450T

ნაწილი საფონდო: 3116

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FSB50250A

FSB50250A

ნაწილი საფონდო: 19334

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),

FSB70450

FSB70450

ნაწილი საფონდო: 21332

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4.8A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerLQFN Module,

FCAS50SN60

FCAS50SN60

ნაწილი საფონდო: 873

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

IRAMS06UP60B

IRAMS06UP60B

ნაწილი საფონდო: 4990

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM15F60HAXKMA1

IKCM15F60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 9088

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM10F60HAXKMA1

IGCM10F60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 9208

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM630-1562F2

IRAM630-1562F2

ნაწილი საფონდო: 4074

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 35-PowerSSIP Module, 25 Leads, Formed Leads,

IRAMS10UP60B-2

IRAMS10UP60B-2

ნაწილი საფონდო: 907

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,