დენის დრაივერის მოდულები

STGIPS10C60T-H

STGIPS10C60T-H

ნაწილი საფონდო: 6652

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPS10C60

STGIPS10C60

ნაწილი საფონდო: 6656

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIB8CH60TS-L

STGIB8CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 311

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

STGIPS14K60T-H

STGIPS14K60T-H

ნაწილი საფონდო: 5562

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 14A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPS10K60T-H

STGIPS10K60T-H

ნაწილი საფონდო: 6592

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPS15C60

STGIPS15C60

ნაწილი საფონდო: 5014

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

STGIPN3H60T-H

STGIPN3H60T-H

ნაწილი საფონდო: 9371

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

FSBF15CH60CT

FSBF15CH60CT

ნაწილი საფონდო: 3526

პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNB40560B2

FNB40560B2

ნაწილი საფონდო: 8356

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

FBM502H10S001A

FBM502H10S001A

ნაწილი საფონდო: 987

პაკეტი / კორპუსი: Module,

FSBB10CH120D

FSBB10CH120D

ნაწილი საფონდო: 2964

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FSB50825AT

FSB50825AT

ნაწილი საფონდო: 1219

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3.6A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

FSB52006S

FSB52006S

ნაწილი საფონდო: 13308

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 2.6A, Ვოლტაჟი: 60V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

FNB34060T

FNB34060T

ნაწილი საფონდო: 2333

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

FNA23060

FNA23060

ნაწილი საფონდო: 1565

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm),

FSAM75SM60A

FSAM75SM60A

ნაწილი საფონდო: 1059

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

FSB50760SFS

FSB50760SFS

ნაწილი საფონდო: 9447

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

IRAMS12UP60A

IRAMS12UP60A

ნაწილი საფონდო: 4992

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IGCM04F60GAXKMA1

IGCM04F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6977

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMS10UP60B-S

IRAMS10UP60B-S

ნაწილი საფონდო: 4303

პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM20L60GAXKMA1

IKCM20L60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5773

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM30F60GAXKMA1

IKCM30F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4664

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

PM75RL1A060

PM75RL1A060

ნაწილი საფონდო: 395

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS21563-P

PS21563-P

ნაწილი საფონდო: 905

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

PSS20S71F6

PSS20S71F6

ნაწილი საფონდო: 2519

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm),

PM50RL1A060

PM50RL1A060

ნაწილი საფონდო: 441

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS22A74

PS22A74

ნაწილი საფონდო: 1172

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PM50RL1C060

PM50RL1C060

ნაწილი საფონდო: 491

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PSS05SA2FT

PSS05SA2FT

ნაწილი საფონდო: 2117

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm),

PM300DV1A120

PM300DV1A120

ნაწილი საფონდო: 362

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PM75B5L1C060

PM75B5L1C060

ნაწილი საფონდო: 406

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: H-Bridge, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

PS219B4-AS

PS219B4-AS

ნაწილი საფონდო: 2503

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm),

PM450DV1A120

PM450DV1A120

ნაწილი საფონდო: 233

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase Inverter, მიმდინარე: 450A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GCMS040A120B1H1

GCMS040A120B1H1

ნაწილი საფონდო: 256

ტიპი: MOSFET, მიმდინარე: 42A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,

GCMS020A120S1-E1

GCMS020A120S1-E1

ნაწილი საფონდო: 618

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 120A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,

GA10SICP12-247

GA10SICP12-247

ნაწილი საფონდო: 2498

მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, პაკეტი / კორპუსი: TO-247-3,