რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR34J5ABJ563

MNR34J5ABJ563

ნაწილი საფონდო: 4904

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ203

MNR14E0APJ203

ნაწილი საფონდო: 4961

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ272

MNR04M0ABJ272

ნაწილი საფონდო: 4740

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ332

MNR34J5ABJ332

ნაწილი საფონდო: 5535

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ822

MNR14E0APJ822

ნაწილი საფონდო: 5019

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ164

MNR14E0APJ164

ნაწილი საფონდო: 5020

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ000

MNR14E0APJ000

ნაწილი საფონდო: 5564

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ3R3

MNR14E0ABJ3R3

ნაწილი საფონდო: 4864

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ201

MNR18E0APJ201

ნაწილი საფონდო: 5500

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18E0APJ331

MNR18E0APJ331

ნაწილი საფონდო: 4873

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR35J5RJ272

MNR35J5RJ272

ნაწილი საფონდო: 4903

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ911

MNR14E0APJ911

ნაწილი საფონდო: 5574

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ100

MNR12E0ABJ100

ნაწილი საფონდო: 4761

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ204

MNR14E0ABJ204

ნაწილი საფონდო: 4822

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ224

MNR14E0APJ224

ნაწილი საფონდო: 5002

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ620

MNR14E0APJ620

ნაწილი საფონდო: 5029

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ103

MNR04M0ABJ103

ნაწილი საფონდო: 4799

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ562

MNR15E0RPJ562

ნაწილი საფონდო: 4864

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ180

MNR34J5ABJ180

ნაწილი საფონდო: 4880

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0APJ220

MNR02M0APJ220

ნაწილი საფონდო: 4980

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR34J5ABJ514

MNR34J5ABJ514

ნაწილი საფონდო: 4927

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ621

MNR14E0ABJ621

ნაწილი საფონდო: 4835

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ510

MNR12E0ABJ510

ნაწილი საფონდო: 4749

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR18E0APJ105

MNR18E0APJ105

ნაწილი საფონდო: 4860

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ100

MNR14E0ABJ100

ნაწილი საფონდო: 4804

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ150

MNR04M0ABJ150

ნაწილი საფონდო: 4751

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ330

MNR04M0ABJ330

ნაწილი საფონდო: 4719

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ434

MNR14E0ABJ434

ნაწილი საფონდო: 4872

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ511

MNR15E0RPJ511

ნაწილი საფონდო: 4853

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ751

MNR14E0ABJ751

ნაწილი საფონდო: 4847

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ470

MNR04M0APJ470

ნაწილი საფონდო: 5512

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ822

MNR15E0RPJ822

ნაწილი საფონდო: 4875

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ181

MNR34J5ABJ181

ნაწილი საფონდო: 4906

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0APJ100

MNR02M0APJ100

ნაწილი საფონდო: 4993

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12E0ABJ471

MNR12E0ABJ471

ნაწილი საფონდო: 4776

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ473

MNR14E0APJ473

ნაწილი საფონდო: 5008

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი