რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR15E0RPJ103

MNR15E0RPJ103

ნაწილი საფონდო: 4819

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ433

MNR14E0ABJ433

ნაწილი საფონდო: 4853

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ242

MNR12E0ABJ242

ნაწილი საფონდო: 4764

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ131

MNR14E0APJ131

ნაწილი საფონდო: 5003

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ243

MNR14E0APJ243

ნაწილი საფონდო: 5019

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0APJ560

MNR02M0APJ560

ნაწილი საფონდო: 4997

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR34J5ABJ000

MNR34J5ABJ000

ნაწილი საფონდო: 153944

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ300

MNR04M0ABJ300

ნაწილი საფონდო: 4789

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR32J0ABJ271

MNR32J0ABJ271

ნაწილი საფონდო: 4888

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ334

MNR14E0APJ334

ნაწილი საფონდო: 4969

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ100

MNR18E0APJ100

ნაწილი საფონდო: 4867

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12E0ABJ131

MNR12E0ABJ131

ნაწილი საფონდო: 4756

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR34J5ABJ104

MNR34J5ABJ104

ნაწილი საფონდო: 145216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0APJ330

MNR02M0APJ330

ნაწილი საფონდო: 4977

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12E0ABJ102

MNR12E0ABJ102

ნაწილი საფონდო: 5526

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ824

MNR14E0ABJ824

ნაწილი საფონდო: 4859

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ131

MNR14E0ABJ131

ნაწილი საფონდო: 4790

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ270

MNR14E0ABJ270

ნაწილი საფონდო: 4807

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0APJ303

MNR02M0APJ303

ნაწილი საფონდო: 5185

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR02M0APJ000

MNR02M0APJ000

ნაწილი საფონდო: 4921

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR15E0RPJ101

MNR15E0RPJ101

ნაწილი საფონდო: 4837

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ203

MNR14E0ABJ203

ნაწილი საფონდო: 4793

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ301

MNR14E0APJ301

ნაწილი საფონდო: 4998

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ510

MNR14E0APJ510

ნაწილი საფონდო: 4995

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ682

MNR04M0ABJ682

ნაწილი საფონდო: 4754

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ510

MNR14E0ABJ510

ნაწილი საფონდო: 4853

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ101

MNR12E0ABJ101

ნაწილი საფონდო: 4810

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR34J5ABJ393

MNR34J5ABJ393

ნაწილი საფონდო: 4943

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ563

MNR14E0ABJ563

ნაწილი საფონდო: 4813

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ301

MNR15E0RPJ301

ნაწილი საფონდო: 4905

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04M0APJ102

MNR04M0APJ102

ნაწილი საფონდო: 5538

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ160

MNR14E0APJ160

ნაწილი საფონდო: 4953

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ430

MNR18E0APJ430

ნაწილი საფონდო: 4889

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04M0APJ150

MNR04M0APJ150

ნაწილი საფონდო: 4941

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ823

MNR14E0APJ823

ნაწილი საფონდო: 5018

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ122

MNR14E0APJ122

ნაწილი საფონდო: 5012

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი