რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR14ERAPJ203

MNR14ERAPJ203

ნაწილი საფონდო: 5272

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ182

MNR12ERAPJ182

ნაწილი საფონდო: 5557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ270

MNR14ERAPJ270

ნაწილი საფონდო: 184074

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ390

MNR12ERAPJ390

ნაწილი საფონდო: 5614

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12ERAPJ151

MNR12ERAPJ151

ნაწილი საფონდო: 5243

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ103

MNR14ERAPJ103

ნაწილი საფონდო: 5311

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ3R0

MNR14ERAPJ3R0

ნაწილი საფონდო: 5297

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ394

MNR14ERAPJ394

ნაწილი საფონდო: 5352

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15ERRPJ431

MNR15ERRPJ431

ნაწილი საფონდო: 5361

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12ERAPJ680

MNR12ERAPJ680

ნაწილი საფონდო: 5260

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ623

MNR14ERAPJ623

ნაწილი საფონდო: 5266

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ241

MNR04MRAPJ241

ნაწილი საფონდო: 5328

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15ERRPJ561

MNR15ERRPJ561

ნაწილი საფონდო: 190280

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ473

MNR18ERAPJ473

ნაწილი საფონდო: 5390

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ910

MNR14ERAPJ910

ნაწილი საფონდო: 5346

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ120

MNR18ERAPJ120

ნაწილი საფონდო: 5354

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04MRAPJ101

MNR04MRAPJ101

ნაწილი საფონდო: 194362

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ122

MNR18ERAPJ122

ნაწილი საფონდო: 5274

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ750

MNR18ERAPJ750

ნაწილი საფონდო: 5372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ393

MNR14ERAPJ393

ნაწილი საფონდო: 124801

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02MRAPJ330

MNR02MRAPJ330

ნაწილი საფონდო: 5284

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR15ERRPJ202

MNR15ERRPJ202

ნაწილი საფონდო: 5345

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ103

MNR18ERAPJ103

ნაწილი საფონდო: 111600

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04MRAPJ240

MNR04MRAPJ240

ნაწილი საფონდო: 5527

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ223

MNR18ERAPJ223

ნაწილი საფონდო: 5328

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ111

MNR14ERAPJ111

ნაწილი საფონდო: 5279

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ361

MNR12ERAPJ361

ნაწილი საფონდო: 5313

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ334

MNR14ERAPJ334

ნაწილი საფონდო: 5609

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ330

MNR14ERAPJ330

ნაწილი საფონდო: 5382

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02MRAPJ100

MNR02MRAPJ100

ნაწილი საფონდო: 5275

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04MRAPJ180

MNR04MRAPJ180

ნაწილი საფონდო: 5557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ000

MNR14ERAPJ000

ნაწილი საფონდო: 5262

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ113

MNR14ERAPJ113

ნაწილი საფონდო: 5275

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ361

MNR14ERAPJ361

ნაწილი საფონდო: 5327

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ430

MNR18ERAPJ430

ნაწილი საფონდო: 5557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ563

MNR14ERAPJ563

ნაწილი საფონდო: 5346

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი