რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR14E0ABJ330

MNR14E0ABJ330

ნაწილი საფონდო: 6196

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ430

MNR04M0APJ430

ნაწილი საფონდო: 6164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ391

MNR14E0APJ391

ნაწილი საფონდო: 6144

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ102

MNR04M0ABJ102

ნაწილი საფონდო: 6209

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ683

MNR15E0RPJ683

ნაწილი საფონდო: 6207

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ111

MNR34J5ABJ111

ნაწილი საფონდო: 6150

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ363

MNR14E0APJ363

ნაწილი საფონდო: 6190

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ242

MNR14E0ABJ242

ნაწილი საფონდო: 6164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ331

MNR14E0APJ331

ნაწილი საფონდო: 6160

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ184

MNR14E0ABJ184

ნაწილი საფონდო: 6188

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ302

MNR14ERAPJ302

ნაწილი საფონდო: 6173

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ122

MNR18E0APJ122

ნაწილი საფონდო: 6152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ153

MNR14E0APJ153

ნაწილი საფონდო: 6219

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ120

MNR04M0ABJ120

ნაწილი საფონდო: 6144

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ683

MNR14E0ABJ683

ნაწილი საფონდო: 6178

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ561

MNR14E0APJ561

ნაწილი საფონდო: 6157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ333

MNR18E0APJ333

ნაწილი საფონდო: 6158

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12ERAPJ101

MNR12ERAPJ101

ნაწილი საფონდო: 6025

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12ERAPJ122

MNR12ERAPJ122

ნაწილი საფონდო: 5711

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR35J5RJ221

MNR35J5RJ221

ნაწილი საფონდო: 6174

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ271

MNR14ERAPJ271

ნაწილი საფონდო: 6258

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ222

MNR18E0APJ222

ნაწილი საფონდო: 6198

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ220

MNR18ERAPJ220

ნაწილი საფონდო: 6176

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04M0ABJ100

MNR04M0ABJ100

ნაწილი საფონდო: 6181

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ821

MNR04M0APJ821

ნაწილი საფონდო: 6163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ333

MNR04M0APJ333

ნაწილი საფონდო: 6205

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ330

MNR14E0APJ330

ნაწილი საფონდო: 5708

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ820

MNR18E0APJ820

ნაწილი საფონდო: 6163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR15E0RPJ391

MNR15E0RPJ391

ნაწილი საფონდო: 6156

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR15ERRPJ472

MNR15ERRPJ472

ნაწილი საფონდო: 6221

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04M0ABJ821

MNR04M0ABJ821

ნაწილი საფონდო: 6153

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ620

MNR14E0ABJ620

ნაწილი საფონდო: 6182

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ913

MNR14E0ABJ913

ნაწილი საფონდო: 6209

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ223

MNR34J5ABJ223

ნაწილი საფონდო: 5975

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ914

MNR14ERAPJ914

ნაწილი საფონდო: 6216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15ERRPJ223

MNR15ERRPJ223

ნაწილი საფონდო: 6220

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი