ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

სახლი
ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

Rohm Semiconductor

RGW60TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 180

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 178W,

სასურველი

RGW00TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW00TK65DGVC11

ნაწილი საფონდო: 112

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 89W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT16NS65DGTL

ნაწილი საფონდო: 95483

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 24A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, სიმძლავრე - მაქს: 94W,

სასურველი

RGTH40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 25319

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 80A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 144W,

სასურველი

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 14392

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 85A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 277W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

ნაწილი საფონდო: 77

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 430V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 125W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

ნაწილი საფონდო: 110

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 33A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 72W,

სასურველი

RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

ნაწილი საფონდო: 164

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 33A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 76W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

ნაწილი საფონდო: 130635

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 12A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, სიმძლავრე - მაქს: 65W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW00TK65GVC11

ნაწილი საფონდო: 159

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 89W,

სასურველი

RGTH80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 18067

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 234W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGPR20NS43HRTL

ნაწილი საფონდო: 99

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 460V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 107W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT8BM65DTL

ნაწილი საფონდო: 142805

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 12A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, სიმძლავრე - მაქს: 62W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW80TK65GVC11

ნაწილი საფონდო: 118

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 39A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 81W,

სასურველი

RGS00TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGS00TS65DHRC11

ნაწილი საფონდო: 112

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 88A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 326W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW00TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 2946

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 96A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 254W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 1596

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 234W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 17733

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 85A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 277W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 23036

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 174W,

სასურველი

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

ნაწილი საფონდო: 2933

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 94W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 25308

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 144W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 2921

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 95A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 276W,

სასურველი

RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

ნაწილი საფონდო: 2956

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 33A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 72W,

სასურველი

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

ნაწილი საფონდო: 2908

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 33A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 76W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 2780

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 194W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 30024

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 80A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 144W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 2662

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 96A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 254W,

სასურველი

RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

ნაწილი საფონდო: 2907

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 39A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 81W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 17933

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 234W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 2967

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 144A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 320A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, სიმძლავრე - მაქს: 404W,

სასურველი

RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 20954

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 174W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT00TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 2750

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 85A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 277W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 22572

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 58A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 197W,

სასურველი

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 22133

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 58A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 194W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 2917

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 214W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 2827

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 178W,

სასურველი

47

«
1
2
»