PMIC - კარიბჭის დრაივერები

BD6562FV-LBE2

BD6562FV-LBE2

ნაწილი საფონდო: 2879

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 25V,

სასურველი
BD6563FV-LBE2

BD6563FV-LBE2

ნაწილი საფონდო: 581

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 25V,

სასურველი
BM6103FV-CE2

BM6103FV-CE2

ნაწილი საფონდო: 26241

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5 ~ 5.5V,

სასურველი
BD16952EFV-ME2

BD16952EFV-ME2

ნაწილი საფონდო: 25865

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3V ~ 5.5V,

სასურველი
BD2270HFV-TR

BD2270HFV-TR

ნაწილი საფონდო: 106120

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 2.7V ~ 5.5V,

სასურველი
BD2270HFV-LBTR

BD2270HFV-LBTR

ნაწილი საფონდო: 122178

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 2.7V ~ 5.5V,

სასურველი
BS2100F-E2

BS2100F-E2

ნაწილი საფონდო: 146958

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.6V,

სასურველი
BS2103F-E2

BS2103F-E2

ნაწილი საფონდო: 158597

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2.6V,

სასურველი
BS2101F-E2

BS2101F-E2

ნაწილი საფონდო: 134

სასურველი