რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR04MRAPJ100

MNR04MRAPJ100

ნაწილი საფონდო: 7199

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ301

MNR18ERAPJ301

ნაწილი საფონდო: 7176

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04MRAPJ152

MNR04MRAPJ152

ნაწილი საფონდო: 7175

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02MRAPJ473

MNR02MRAPJ473

ნაწილი საფონდო: 7155

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ331

MNR14ERAPJ331

ნაწილი საფონდო: 7163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR35J5RJ561

MNR35J5RJ561

ნაწილი საფონდო: 7052

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ680

MNR18ERAPJ680

ნაწილი საფონდო: 7193

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ510

MNR14ERAPJ510

ნაწილი საფონდო: 7139

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ224

MNR12E0ABJ224

ნაწილი საფონდო: 7058

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04MRAPJ270

MNR04MRAPJ270

ნაწილი საფონდო: 100379

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ122

MNR34J5ABJ122

ნაწილი საფონდო: 7215

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ563

MNR18ERAPJ563

ნაწილი საფონდო: 7123

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ240

MNR18ERAPJ240

ნაწილი საფონდო: 192468

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ220

MNR34J5ABJ220

ნაწილი საფონდო: 7172

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR35J5RJ223

MNR35J5RJ223

ნაწილი საფონდო: 5757

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ222

MNR14ERAPJ222

ნაწილი საფონდო: 7171

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ222

MNR34J5ABJ222

ნაწილი საფონდო: 189331

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15ERRPJ151

MNR15ERRPJ151

ნაწილი საფონდო: 7143

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12ERAPJ220

MNR12ERAPJ220

ნაწილი საფონდო: 7136

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ431

MNR14ERAPJ431

ნაწილი საფონდო: 7121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ221

MNR34J5ABJ221

ნაწილი საფონდო: 7208

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ104

MNR04MRAPJ104

ნაწილი საფონდო: 187360

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ181

MNR14ERAPJ181

ნაწილი საფონდო: 160376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ470

MNR14ERAPJ470

ნაწილი საფონდო: 195950

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ302

MNR18ERAPJ302

ნაწილი საფონდო: 5669

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ560

MNR14ERAPJ560

ნაწილი საფონდო: 6731

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ122

MNR14ERAPJ122

ნაწილი საფონდო: 124196

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ333

MNR04MRAPJ333

ნაწილი საფონდო: 6635

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ682

MNR14ERAPJ682

ნაწილი საფონდო: 6739

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ122

MNR04MRAPJ122

ნაწილი საფონდო: 6676

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ390

MNR04MRAPJ390

ნაწილი საფონდო: 137391

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15ERRPJ471

MNR15ERRPJ471

ნაწილი საფონდო: 177404

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ514

MNR14ERAPJ514

ნაწილი საფონდო: 189309

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ912

MNR14ERAPJ912

ნაწილი საფონდო: 179235

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ682

MNR18ERAPJ682

ნაწილი საფონდო: 6701

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ273

MNR14ERAPJ273

ნაწილი საფონდო: 181296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი