რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR14ERAPJ433

MNR14ERAPJ433

ნაწილი საფონდო: 150473

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ430

MNR04MRAPJ430

ნაწილი საფონდო: 5265

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ750

MNR04MRAPJ750

ნაწილი საფონდო: 5283

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ391

MNR34J5ABJ391

ნაწილი საფონდო: 5609

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ104

MNR14ERAPJ104

ნაწილი საფონდო: 5347

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ134

MNR14ERAPJ134

ნაწილი საფონდო: 5252

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ824

MNR14ERAPJ824

ნაწილი საფონდო: 5281

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ240

MNR14ERAPJ240

ნაწილი საფონდო: 5280

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ510

MNR04MRAPJ510

ნაწილი საფონდო: 5377

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ131

MNR14ERAPJ131

ნაწილი საფონდო: 101053

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ201

MNR18ERAPJ201

ნაწილი საფონდო: 5608

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ160

MNR14ERAPJ160

ნაწილი საფონდო: 5346

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04MRAPJ822

MNR04MRAPJ822

ნაწილი საფონდო: 5274

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02MRAPJ472

MNR02MRAPJ472

ნაწილი საფონდო: 5232

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ753

MNR14ERAPJ753

ნაწილი საფონდო: 5326

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ333

MNR18ERAPJ333

ნაწილი საფონდო: 102391

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12ERAPJ393

MNR12ERAPJ393

ნაწილი საფონდო: 5263

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ220

MNR14ERAPJ220

ნაწილი საფონდო: 5356

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ102

MNR14ERAPJ102

ნაწილი საფონდო: 5386

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ102

MNR18ERAPJ102

ნაწილი საფონდო: 5295

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ101

MNR14ERAPJ101

ნაწილი საფონდო: 5366

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ202

MNR12ERAPJ202

ნაწილი საფონდო: 5296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR02MRAPJ000

MNR02MRAPJ000

ნაწილი საფონდო: 5294

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR15ERRPJ301

MNR15ERRPJ301

ნაწილი საფონდო: 5281

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ331

MNR18ERAPJ331

ნაწილი საფონდო: 5338

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR15ERRPJ562

MNR15ERRPJ562

ნაწილი საფონდო: 5276

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04MRAPJ472

MNR04MRAPJ472

ნაწილი საფონდო: 5604

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ510

MNR12ERAPJ510

ნაწილი საფონდო: 5302

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04MRAPJ121

MNR04MRAPJ121

ნაწილი საფონდო: 5557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ330

MNR18ERAPJ330

ნაწილი საფონდო: 5306

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR15ERRPJ183

MNR15ERRPJ183

ნაწილი საფონდო: 5319

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ243

MNR14ERAPJ243

ნაწილი საფონდო: 5334

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ271

MNR12ERAPJ271

ნაწილი საფონდო: 5362

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04MRAPJ470

MNR04MRAPJ470

ნაწილი საფონდო: 5310

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ104

MNR18ERAPJ104

ნაწილი საფონდო: 5380

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04MRAPJ220

MNR04MRAPJ220

ნაწილი საფონდო: 5372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი