რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR14ERAPJ114

MNR14ERAPJ114

ნაწილი საფონდო: 5315

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ360

MNR14ERAPJ360

ნაწილი საფონდო: 5346

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ100

MNR14ERAPJ100

ნაწილი საფონდო: 5290

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15ERRPJ152

MNR15ERRPJ152

ნაწილი საფონდო: 5340

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12ERAPJ105

MNR12ERAPJ105

ნაწილი საფონდო: 5252

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12ERAPJ180

MNR12ERAPJ180

ნაწილი საფონდო: 5607

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04MRAPJ471

MNR04MRAPJ471

ნაწილი საფონდო: 5252

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ272

MNR18ERAPJ272

ნაწილი საფონდო: 5569

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ180

MNR18ERAPJ180

ნაწილი საფონდო: 5337

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ270

MNR18ERAPJ270

ნაწილი საფონდო: 5314

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18ERAPJ101

MNR18ERAPJ101

ნაწილი საფონდო: 5550

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ391

MNR14ERAPJ391

ნაწილი საფონდო: 5294

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ223

MNR14ERAPJ223

ნაწილი საფონდო: 5554

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ620

MNR14ERAPJ620

ნაწილი საფონდო: 5312

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ242

MNR12ERAPJ242

ნაწილი საფონდო: 5241

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ473

MNR14ERAPJ473

ნაწილი საფონდო: 5613

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ182

MNR14ERAPJ182

ნაწილი საფონდო: 5284

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ163

MNR14ERAPJ163

ნაწილი საფონდო: 5583

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ472

MNR14ERAPJ472

ნაწილი საფონდო: 5340

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ681

MNR14ERAPJ681

ნაწილი საფონდო: 5302

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02MRAPJ102

MNR02MRAPJ102

ნაწილი საფონდო: 112120

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12ERAPJ100

MNR12ERAPJ100

ნაწილი საფონდო: 120254

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14ERAPJ204

MNR14ERAPJ204

ნაწილი საფონდო: 195045

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ430

MNR14ERAPJ430

ნაწილი საფონდო: 5265

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12ERAPJ131

MNR12ERAPJ131

ნაწილი საფონდო: 5312

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04MRAPJ821

MNR04MRAPJ821

ნაწილი საფონდო: 198983

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ512

MNR18ERAPJ512

ნაწილი საფონდო: 5282

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14ERAPJ624

MNR14ERAPJ624

ნაწილი საფონდო: 5350

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ201

MNR14ERAPJ201

ნაწილი საფონდო: 5296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ221

MNR14ERAPJ221

ნაწილი საფონდო: 163912

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ120

MNR14ERAPJ120

ნაწილი საფონდო: 5254

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14ERAPJ750

MNR14ERAPJ750

ნაწილი საფონდო: 160296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18ERAPJ510

MNR18ERAPJ510

ნაწილი საფონდო: 168384

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR02MRAPJ303

MNR02MRAPJ303

ნაწილი საფონდო: 5235

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR15ERRPJ203

MNR15ERRPJ203

ნაწილი საფონდო: 5366

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04MRAPJ301

MNR04MRAPJ301

ნაწილი საფონდო: 198704

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი