ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 2

RGTV00TK65DGC11

ნაწილი საფონდო: 2789

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 45A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 94W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 2739

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 194W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT50TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 20970

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 48A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 174W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGTV00TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 2823

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 95A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 276W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

ნაწილი საფონდო: 22178

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 55A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 194W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGW80TS65GC11

ნაწილი საფონდო: 2956

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 78A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 214W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

ნაწილი საფონდო: 76981

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 133W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGPR30BM40HRTL

ნაწილი საფონდო: 10769

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 430V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 125W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGPR10BM40FHTL

ნაწილი საფონდო: 10770

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 460V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 107W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

ნაწილი საფონდო: 64766

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 161W,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RGPZ10BM40FHTL

ნაწილი საფონდო: 10827

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 460V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 107W,

სასურველი