რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR04M0ABJ105

MNR04M0ABJ105

ნაწილი საფონდო: 4800

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ622

MNR14E0ABJ622

ნაწილი საფონდო: 4861

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ182

MNR12E0ABJ182

ნაწილი საფონდო: 4808

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ2R2

MNR14E0APJ2R2

ნაწილი საფონდო: 5038

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ682

MNR04M0APJ682

ნაწილი საფონდო: 4923

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ472

MNR04M0APJ472

ნაწილი საფონდო: 4997

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ512

MNR14E0ABJ512

ნაწილი საფონდო: 4804

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ102

MNR15E0RPJ102

ნაწილი საფონდო: 4839

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18E0APJ470

MNR18E0APJ470

ნაწილი საფონდო: 4843

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ560

MNR34J5ABJ560

ნაწილი საფონდო: 4894

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ304

MNR14E0APJ304

ნაწილი საფონდო: 5015

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ103

MNR34J5ABJ103

ნაწილი საფონდო: 199461

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ104

MNR14E0ABJ104

ნაწილი საფონდო: 4813

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ220

MNR04M0APJ220

ნაწილი საფონდო: 4937

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0APJ102

MNR02M0APJ102

ნაწილი საფონდო: 4962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ163

MNR14E0ABJ163

ნაწილი საფონდო: 4855

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ123

MNR14E0ABJ123

ნაწილი საფონდო: 4753

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ123

MNR14E0APJ123

ნაწილი საფონდო: 5009

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ120

MNR14E0APJ120

ნაწილი საფონდო: 4988

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ301

MNR18E0APJ301

ნაწილი საფონდო: 4857

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR35J5RJ431

MNR35J5RJ431

ნაწილი საფონდო: 4885

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ680

MNR14E0APJ680

ნაწილი საფონდო: 5027

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ151

MNR14E0APJ151

ნაწილი საფონდო: 5528

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ101

MNR14E0ABJ101

ნაწილი საფონდო: 4767

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ471

MNR18E0APJ471

ნაწილი საფონდო: 4838

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ244

MNR14E0ABJ244

ნაწილი საფონდო: 4851

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ180

MNR18E0APJ180

ნაწილი საფონდო: 4905

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR12E0ABJ470

MNR12E0ABJ470

ნაწილი საფონდო: 4751

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04M0APJ153

MNR04M0APJ153

ნაწილი საფონდო: 5005

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0AJ473

MNR02M0AJ473

ნაწილი საფონდო: 4801

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ150

MNR14E0ABJ150

ნაწილი საფონდო: 5549

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR35J5RJ183

MNR35J5RJ183

ნაწილი საფონდო: 4915

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR15E0RPJ333

MNR15E0RPJ333

ნაწილი საფონდო: 4862

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ511

MNR14E0ABJ511

ნაწილი საფონდო: 4880

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ431

MNR14E0APJ431

ნაწილი საფონდო: 4962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0AJ102

MNR02M0AJ102

ნაწილი საფონდო: 4759

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი