რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR32J0ABJ182

MNR32J0ABJ182

ნაწილი საფონდო: 4845

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ474

MNR14E0ABJ474

ნაწილი საფონდო: 4820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ4R7

MNR14E0APJ4R7

ნაწილი საფონდო: 5056

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ330

MNR04M0APJ330

ნაწილი საფონდო: 4993

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ124

MNR14E0ABJ124

ნაწილი საფონდო: 4814

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ240

MNR18E0APJ240

ნაწილი საფონდო: 4836

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ752

MNR14E0ABJ752

ნაწილი საფონდო: 4835

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ221

MNR04M0APJ221

ნაწილი საფონდო: 4922

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ151

MNR34J5ABJ151

ნაწილი საფონდო: 4919

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ394

MNR14E0APJ394

ნაწილი საფონდო: 5026

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ122

MNR14E0ABJ122

ნაწილი საფონდო: 4806

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ104

MNR15E0RPJ104

ნაწილი საფონდო: 4893

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ152

MNR34J5ABJ152

ნაწილი საფონდო: 4871

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ514

MNR14E0APJ514

ნაწილი საფონდო: 5028

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ360

MNR18E0APJ360

ნაწილი საფონდო: 4889

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18E0APJ472

MNR18E0APJ472

ნაწილი საფონდო: 4928

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR35J5RJ101

MNR35J5RJ101

ნაწილი საფონდო: 5553

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ513

MNR14E0ABJ513

ნაწილი საფონდო: 5557

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ122

MNR15E0RPJ122

ნაწილი საფონდო: 4809

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ150

MNR14E0APJ150

ნაწილი საფონდო: 5587

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ105

MNR12E0ABJ105

ნაწილი საფონდო: 4764

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR18E0APJ750

MNR18E0APJ750

ნაწილი საფონდო: 5529

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ622

MNR14E0APJ622

ნაწილი საფონდო: 5033

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ473

MNR15E0RPJ473

ნაწილი საფონდო: 4852

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ910

MNR14E0APJ910

ნაწილი საფონდო: 4987

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ221

MNR14E0APJ221

ნაწილი საფონდო: 4984

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ753

MNR14E0ABJ753

ნაწილი საფონდო: 4814

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ393

MNR14E0APJ393

ნაწილი საფონდო: 4986

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ150

MNR18E0APJ150

ნაწილი საფონდო: 4888

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18E0APJ500

MNR18E0APJ500

ნაწილი საფონდო: 4871

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 50, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR15E0RPJ331

MNR15E0RPJ331

ნაწილი საფონდო: 5546

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04M0APJ560

MNR04M0APJ560

ნაწილი საფონდო: 4947

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ182

MNR14E0APJ182

ნაწილი საფონდო: 5030

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ182

MNR34J5ABJ182

ნაწილი საფონდო: 4896

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ162

MNR14E0APJ162

ნაწილი საფონდო: 5006

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ101

MNR14E0APJ101

ნაწილი საფონდო: 4972

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი