რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR14E0APJ112

MNR14E0APJ112

ნაწილი საფონდო: 5592

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ132

MNR14E0APJ132

ნაწილი საფონდო: 2595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ303

MNR14E0ABJ303

ნაწილი საფონდო: 4822

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ240

MNR14E0ABJ240

ნაწილი საფონდო: 4806

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ151

MNR15E0RPJ151

ნაწილი საფონდო: 4817

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ821

MNR14E0APJ821

ნაწილი საფონდო: 5040

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ301

MNR14E0ABJ301

ნაწილი საფონდო: 4812

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ130

MNR14E0ABJ130

ნაწილი საფონდო: 4819

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ434

MNR14E0APJ434

ნაწილი საფონდო: 5016

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ622

MNR34J5ABJ622

ნაწილი საფონდო: 4912

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ392

MNR14E0ABJ392

ნაწილი საფონდო: 4871

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ114

MNR14E0APJ114

ნაწილი საფონდო: 5510

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR02M0AJ560

MNR02M0AJ560

ნაწილი საფონდო: 4732

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ751

MNR14E0APJ751

ნაწილი საფონდო: 5564

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ104

MNR14E0APJ104

ნაწილი საფონდო: 5003

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ272

MNR15E0RPJ272

ნაწილი საფონდო: 5512

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ561

MNR14E0ABJ561

ნაწილი საფონდო: 4827

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ243

MNR14E0ABJ243

ნაწილი საფონდო: 4820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ6R8

MNR14E0APJ6R8

ნაწილი საფონდო: 5015

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ180

MNR04M0ABJ180

ნაწილი საფონდო: 4724

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ390

MNR14E0ABJ390

ნაწილი საფონდო: 4815

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ302

MNR18E0APJ302

ნაწილი საფონდო: 4909

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ120

MNR14E0ABJ120

ნაწილი საფონდო: 5494

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ331

MNR34J5ABJ331

ნაწილი საფონდო: 4904

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR32J0ABJ472

MNR32J0ABJ472

ნაწილი საფონდო: 4936

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ564

MNR14E0APJ564

ნაწილი საფონდო: 4973

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ270

MNR14E0APJ270

ნაწილი საფონდო: 4967

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ273

MNR14E0APJ273

ნაწილი საფონდო: 5007

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ221

MNR18E0APJ221

ნაწილი საფონდო: 4888

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ564

MNR14E0ABJ564

ნაწილი საფონდო: 4813

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ103

MNR18E0APJ103

ნაწილი საფონდო: 4831

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR18E0APJ822

MNR18E0APJ822

ნაწილი საფონდო: 4925

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0ABJ2R2

MNR14E0ABJ2R2

ნაწილი საფონდო: 4813

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ471

MNR04M0ABJ471

ნაწილი საფონდო: 4791

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ512

MNR04M0ABJ512

ნაწილი საფონდო: 4773

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ364

MNR14E0ABJ364

ნაწილი საფონდო: 4782

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი