რეზისტორული ქსელები, მასივები

MNR14E0ABJ223

MNR14E0ABJ223

ნაწილი საფონდო: 4858

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0ABJ680

MNR04M0ABJ680

ნაწილი საფონდო: 4766

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ120

MNR18E0APJ120

ნაწილი საფონდო: 4900

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR04M0ABJ563

MNR04M0ABJ563

ნაწილი საფონდო: 4739

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ134

MNR14E0APJ134

ნაწილი საფონდო: 4997

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ912

MNR14E0APJ912

ნაწილი საფონდო: 5548

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR15E0RPJ221

MNR15E0RPJ221

ნაწილი საფონდო: 2621

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ3R0

MNR14E0APJ3R0

ნაწილი საფონდო: 4979

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ4R7

MNR14E0ABJ4R7

ნაწილი საფონდო: 4867

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ913

MNR14E0APJ913

ნაწილი საფონდო: 5558

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ220

MNR12E0ABJ220

ნაწილი საფონდო: 4793

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR12E0ABJ103

MNR12E0ABJ103

ნაწილი საფონდო: 4740

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR34J5ABJ301

MNR34J5ABJ301

ნაწილი საფონდო: 4890

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ360

MNR14E0APJ360

ნაწილი საფონდო: 5008

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ682

MNR14E0ABJ682

ნაწილი საფონდო: 4839

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ361

MNR12E0ABJ361

ნაწილი საფონდო: 4763

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ105

MNR14E0ABJ105

ნაწილი საფონდო: 4789

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ104

MNR18E0APJ104

ნაწილი საფონდო: 4834

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR35J5RJ511

MNR35J5RJ511

ნაწილი საფონდო: 4971

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR34J5ABJ102

MNR34J5ABJ102

ნაწილი საფონდო: 127151

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR32J0ABJ392

MNR32J0ABJ392

ნაწილი საფონდო: 4919

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR04M0ABJ822

MNR04M0ABJ822

ნაწილი საფონდო: 4809

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR12E0ABJ180

MNR12E0ABJ180

ნაწილი საფონდო: 5559

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0APJ392

MNR14E0APJ392

ნაწილი საფონდო: 5005

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ222

MNR04M0APJ222

ნაწილი საფონდო: 4985

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0APJ181

MNR14E0APJ181

ნაწილი საფონდო: 4954

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR14E0ABJ121

MNR14E0ABJ121

ნაწილი საფონდო: 4771

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR35J5RJ151

MNR35J5RJ151

ნაწილი საფონდო: 4949

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR35J5RJ473

MNR35J5RJ473

ნაწილი საფონდო: 183156

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR14E0APJ470

MNR14E0APJ470

ნაწილი საფონდო: 5522

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ223

MNR04M0APJ223

ნაწილი საფონდო: 4934

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR34J5ABJ270

MNR34J5ABJ270

ნაწილი საფონდო: 4918

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR04M0APJ510

MNR04M0APJ510

ნაწილი საფონდო: 4939

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
MNR18E0APJ682

MNR18E0APJ682

ნაწილი საფონდო: 4870

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MNR32J0ABJ390

MNR32J0ABJ390

ნაწილი საფონდო: 4910

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
MNR14E0ABJ113

MNR14E0ABJ113

ნაწილი საფონდო: 5505

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი