რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-A10P820J

EXB-A10P820J

ნაწილი საფონდო: 194078

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P474J

EXB-Q16P474J

ნაწილი საფონდო: 128079

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-A10P103J

EXB-A10P103J

ნაწილი საფონდო: 147444

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F10V333G

EXB-F10V333G

ნაწილი საფონდო: 124150

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-H8E473J

EXB-H8E473J

ნაწილი საფონდო: 58122

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-E10C221J

EXB-E10C221J

ნაწილი საფონდო: 113926

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P223J

EXB-Q16P223J

ნაწილი საფონდო: 101316

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-E10C470J

EXB-E10C470J

ნაწილი საფონდო: 197158

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F6V682G

EXB-F6V682G

ნაწილი საფონდო: 159253

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-A10P332J

EXB-A10P332J

ნაწილი საფონდო: 191376

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C222J

EXB-D10C222J

ნაწილი საფონდო: 100909

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C393J

EXB-D10C393J

ნაწილი საფონდო: 116250

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-14V474JX

EXB-14V474JX

ნაწილი საფონდო: 115181

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V683JX

EXB-14V683JX

ნაწილი საფონდო: 182186

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-2HV394JV

EXB-2HV394JV

ნაწილი საფონდო: 176890

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV6R8JV

EXB-2HV6R8JV

ნაწილი საფონდო: 145925

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-14V471JX

EXB-14V471JX

ნაწილი საფონდო: 113285

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V823JX

EXB-24V823JX

ნაწილი საფონდო: 145849

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V822JX

EXB-14V822JX

ნაწილი საფონდო: 190670

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V820JX

EXB-14V820JX

ნაწილი საფონდო: 103119

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V821JX

EXB-24V821JX

ნაწილი საფონდო: 152177

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-S8V391J

EXB-S8V391J

ნაწილი საფონდო: 163006

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV3R9JV

EXB-2HV3R9JV

ნაწილი საფონდო: 144867

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D6JP000A

EXB-D6JP000A

ნაწილი საფონდო: 104953

წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper,

სასურველი
EXB-S8V390J

EXB-S8V390J

ნაწილი საფონდო: 193055

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-14V681JX

EXB-14V681JX

ნაწილი საფონდო: 198523

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-S8V472J

EXB-S8V472J

ნაწილი საფონდო: 137152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-24V120JX

EXB-24V120JX

ნაწილი საფონდო: 111871

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V151JX

EXB-14V151JX

ნაწილი საფონდო: 140049

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V124JX

EXB-14V124JX

ნაწილი საფონდო: 184176

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V152JX

EXB-14V152JX

ნაწილი საფონდო: 111231

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-S8V201J

EXB-S8V201J

ნაწილი საფონდო: 116100

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-14V564JX

EXB-14V564JX

ნაწილი საფონდო: 122372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-S8V512J

EXB-S8V512J

ნაწილი საფონდო: 103982

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-14V392JX

EXB-14V392JX

ნაწილი საფონდო: 183293

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-24V122JX

EXB-24V122JX

ნაწილი საფონდო: 145005

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი