რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-2HV620JV

EXB-2HV620JV

ნაწილი საფონდო: 118915

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV363JV

EXB-2HV363JV

ნაწილი საფონდო: 159503

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV120JV

EXB-2HV120JV

ნაწილი საფონდო: 140841

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV431JV

EXB-2HV431JV

ნაწილი საფონდო: 179200

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V330JX

EXB-18V330JX

ნაწილი საფონდო: 153307

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V333JX

EXB-18V333JX

ნაწილი საფონდო: 125541

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V150JX

EXB-18V150JX

ნაწილი საფონდო: 183361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V564JX

EXB-18V564JX

ნაწილი საფონდო: 129756

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV510JV

EXB-2HV510JV

ნაწილი საფონდო: 130922

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV820JV

EXB-2HV820JV

ნაწილი საფონდო: 173534

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18VR000X

EXB-18VR000X

ნაწილი საფონდო: 188475

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV100JV

EXB-2HV100JV

ნაწილი საფონდო: 170581

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V183JX

EXB-18V183JX

ნაწილი საფონდო: 124973

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV181JV

EXB-2HV181JV

ნაწილი საფონდო: 161762

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV622JV

EXB-2HV622JV

ნაწილი საფონდო: 156820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV183JV

EXB-2HV183JV

ნაწილი საფონდო: 160240

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V821JX

EXB-18V821JX

ნაწილი საფონდო: 131607

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV391JV

EXB-2HV391JV

ნაწილი საფონდო: 178394

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV274JV

EXB-2HV274JV

ნაწილი საფონდო: 126897

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V562JX

EXB-18V562JX

ნაწილი საფონდო: 176531

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV151JV

EXB-2HV151JV

ნაწილი საფონდო: 106364

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV8R2JV

EXB-2HV8R2JV

ნაწილი საფონდო: 164110

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V224JX

EXB-18V224JX

ნაწილი საფონდო: 166150

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV3R3JV

EXB-2HV3R3JV

ნაწილი საფონდო: 189975

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV304JV

EXB-2HV304JV

ნაწილი საფონდო: 162151

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV1R8JV

EXB-2HV1R8JV

ნაწილი საფონდო: 115955

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV754JV

EXB-2HV754JV

ნაწილი საფონდო: 164302

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV273JV

EXB-2HV273JV

ნაწილი საფონდო: 107488

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV222JV

EXB-2HV222JV

ნაწილი საფონდო: 172470

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V105JX

EXB-18V105JX

ნაწილი საფონდო: 194876

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V184JV

EXB-V4V184JV

ნაწილი საფონდო: 151296

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-18V151JX

EXB-18V151JX

ნაწილი საფონდო: 189321

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV133JV

EXB-2HV133JV

ნაწილი საფონდო: 130446

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HVR000V

EXB-2HVR000V

ნაწილი საფონდო: 121580

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V471JX

EXB-18V471JX

ნაწილი საფონდო: 129276

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V334JX

EXB-18V334JX

ნაწილი საფონდო: 145167

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი