რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-F8WT02G

EXB-F8WT02G

ნაწილი საფონდო: 6016

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
EXB-H8E333J

EXB-H8E333J

ნაწილი საფონდო: 6066

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-H6V154J

EXB-H6V154J

ნაწილი საფონდო: 5665

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-V8V1R8JV

EXB-V8V1R8JV

ნაწილი საფონდო: 122242

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F10V821G

EXB-F10V821G

ნაწილი საფონდო: 6024

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F10V334G

EXB-F10V334G

ნაწილი საფონდო: 6018

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
ERA-38VVY1002

ERA-38VVY1002

ნაწილი საფონდო: 5761

სასურველი
EXB-V4V9R1JV

EXB-V4V9R1JV

ნაწილი საფონდო: 118477

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-F8E683G

EXB-F8E683G

ნაწილი საფონდო: 6078

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
ERA-38VWY2002

ERA-38VWY2002

ნაწილი საფონდო: 5814

სასურველი
EXB-H9E471J

EXB-H9E471J

ნაწილი საფონდო: 6118

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-V4V6R2JV

EXB-V4V6R2JV

ნაწილი საფონდო: 137336

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-F10V152G

EXB-F10V152G

ნაწილი საფონდო: 6029

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-V4V1R3JV

EXB-V4V1R3JV

ნაწილი საფონდო: 104565

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V1R2JV

EXB-V8V1R2JV

ნაწილი საფონდო: 102783

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V1R1JV

EXB-V4V1R1JV

ნაწილი საფონდო: 118698

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V4R3JV

EXB-V8V4R3JV

ნაწილი საფონდო: 183525

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V6R2JV

EXB-V8V6R2JV

ნაწილი საფონდო: 148375

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V5R6JV

EXB-V4V5R6JV

ნაწილი საფონდო: 156049

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V1R5JV

EXB-V8V1R5JV

ნაწილი საფონდო: 149376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V3R6JV

EXB-V8V3R6JV

ნაწილი საფონდო: 105158

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V3R9JV

EXB-V4V3R9JV

ნაწილი საფონდო: 125369

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V3R6JV

EXB-V4V3R6JV

ნაწილი საფონდო: 169627

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V4R3JV

EXB-V4V4R3JV

ნაწილი საფონდო: 109097

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V6R8JV

EXB-V4V6R8JV

ნაწილი საფონდო: 179282

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V4R7JV

EXB-V4V4R7JV

ნაწილი საფონდო: 138933

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V2R7JV

EXB-V8V2R7JV

ნაწილი საფონდო: 182011

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V8R2JV

EXB-V4V8R2JV

ნაწილი საფონდო: 141389

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V2R4JV

EXB-V4V2R4JV

ნაწილი საფონდო: 106429

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V1R6JV

EXB-V4V1R6JV

ნაწილი საფონდო: 133776

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V1R8JV

EXB-V4V1R8JV

ნაწილი საფონდო: 153938

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-H8V105J

EXB-H8V105J

ნაწილი საფონდო: 4126

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F8E684G

EXB-F8E684G

ნაწილი საფონდო: 3750

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-F6V473G

EXB-F6V473G

ნაწილი საფონდო: 3670

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H6E153J

EXB-H6E153J

ნაწილი საფონდო: 4181

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F8WT07G

EXB-F8WT07G

ნაწილი საფონდო: 3731

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი