რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-F6E564G

EXB-F6E564G

ნაწილი საფონდო: 3732

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-H6E154J

EXB-H6E154J

ნაწილი საფონდო: 4173

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F10E683G

EXB-F10E683G

ნაწილი საფონდო: 3735

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-H6E470J

EXB-H6E470J

ნაწილი საფონდო: 4153

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F6V562G

EXB-F6V562G

ნაწილი საფონდო: 3666

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H5E105J

EXB-H5E105J

ნაწილი საფონდო: 4099

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F10V562G

EXB-F10V562G

ნაწილი საფონდო: 3731

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F8WT05G

EXB-F8WT05G

ნაწილი საფონდო: 5449

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
EXB-F6V152G

EXB-F6V152G

ნაწილი საფონდო: 3707

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-F8WT08G

EXB-F8WT08G

ნაწილი საფონდო: 3681

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
EXB-H10E105J

EXB-H10E105J

ნაწილი საფონდო: 52013

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-H5E153J

EXB-H5E153J

ნაწილი საფონდო: 74753

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-H5E331J

EXB-H5E331J

ნაწილი საფონდო: 74745

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-A10P273J

EXB-A10P273J

ნაწილი საფონდო: 115714

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P472J

EXB-A10P472J

ნაწილი საფონდო: 172424

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H6V103J

EXB-H6V103J

ნაწილი საფონდო: 67842

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-A10P473J

EXB-A10P473J

ნაწილი საფონდო: 119376

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C823J

EXB-E10C823J

ნაწილი საფონდო: 149406

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-28V124JX

EXB-28V124JX

ნაწილი საფონდო: 178185

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-Q16P154J

EXB-Q16P154J

ნაწილი საფონდო: 120413

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-E10C273J

EXB-E10C273J

ნაწილი საფონდო: 172726

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P682J

EXB-A10P682J

ნაწილი საფონდო: 169252

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F10E334G

EXB-F10E334G

ნაწილი საფონდო: 124133

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-Q16P471J

EXB-Q16P471J

ნაწილი საფონდო: 197449

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-E10C684J

EXB-E10C684J

ნაწილი საფონდო: 135264

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P683J

EXB-Q16P683J

ნაწილი საფონდო: 138313

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-E10C473J

EXB-E10C473J

ნაწილი საფონდო: 122273

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P822J

EXB-A10P822J

ნაწილი საფონდო: 178686

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C820J

EXB-E10C820J

ნაწილი საფონდო: 150269

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C154J

EXB-D10C154J

ნაწილი საფონდო: 148949

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C391J

EXB-D10C391J

ნაწილი საფონდო: 111542

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C820J

EXB-D10C820J

ნაწილი საფონდო: 197164

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F10V474G

EXB-F10V474G

ნაწილი საფონდო: 124209

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-A10P272J

EXB-A10P272J

ნაწილი საფონდო: 180268

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P152J

EXB-Q16P152J

ნაწილი საფონდო: 195876

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-E10C183J

EXB-E10C183J

ნაწილი საფონდო: 179310

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი