რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-28V183JX

EXB-28V183JX

ნაწილი საფონდო: 161792

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-D10C331J

EXB-D10C331J

ნაწილი საფონდო: 177052

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H5E470J

EXB-H5E470J

ნაწილი საფონდო: 74751

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-H8E681J

EXB-H8E681J

ნაწილი საფონდო: 58188

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-A10P564J

EXB-A10P564J

ნაწილი საფონდო: 187551

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P334J

EXB-A10P334J

ნაწილი საფონდო: 105479

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C101J

EXB-D10C101J

ნაწილი საფონდო: 177415

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P333J

EXB-Q16P333J

ნაწილი საფონდო: 177773

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-D10C272J

EXB-D10C272J

ნაწილი საფონდო: 182683

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P391J

EXB-A10P391J

ნაწილი საფონდო: 144226

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H5E221J

EXB-H5E221J

ნაწილი საფონდო: 74768

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F6E474G

EXB-F6E474G

ნაწილი საფონდო: 159217

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-D10C271J

EXB-D10C271J

ნაწილი საფონდო: 133611

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P561J

EXB-A10P561J

ნაწილი საფონდო: 186617

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F8E154G

EXB-F8E154G

ნაწილი საფონდო: 122076

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-A10P683J

EXB-A10P683J

ნაწილი საფონდო: 116128

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C273J

EXB-D10C273J

ნაწილი საფონდო: 186628

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C681J

EXB-D10C681J

ნაწილი საფონდო: 125667

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C222J

EXB-E10C222J

ნაწილი საფონდო: 109285

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H6V472J

EXB-H6V472J

ნაწილი საფონდო: 67882

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-E10C331J

EXB-E10C331J

ნაწილი საფონდო: 118995

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H8V151J

EXB-H8V151J

ნაწილი საფონდო: 58185

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F6E822G

EXB-F6E822G

ნაწილი საფონდო: 159252

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-D10C334J

EXB-D10C334J

ნაწილი საფონდო: 192418

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P392J

EXB-A10P392J

ნაწილი საფონდო: 137575

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C470J

EXB-D10C470J

ნაწილი საფონდო: 119311

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P222J

EXB-Q16P222J

ნაწილი საფონდო: 168454

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-A10P221J

EXB-A10P221J

ნაწილი საფონდო: 170416

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C564J

EXB-E10C564J

ნაწილი საფონდო: 191840

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P333J

EXB-A10P333J

ნაწილი საფონდო: 188862

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C121J

EXB-D10C121J

ნაწილი საფონდო: 194672

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C184J

EXB-E10C184J

ნაწილი საფონდო: 138014

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C472J

EXB-E10C472J

ნაწილი საფონდო: 129366

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C151J

EXB-E10C151J

ნაწილი საფონდო: 155820

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C824J

EXB-D10C824J

ნაწილი საფონდო: 160630

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C561J

EXB-E10C561J

ნაწილი საფონდო: 124287

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი