რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-H10E151J

EXB-H10E151J

ნაწილი საფონდო: 4114

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-F6WT06G

EXB-F6WT06G

ნაწილი საფონდო: 128516

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H10E680J

EXB-H10E680J

ნაწილი საფონდო: 5475

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-F6WT01G

EXB-F6WT01G

ნაწილი საფონდო: 3731

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H6E331J

EXB-H6E331J

ნაწილი საფონდო: 4109

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F10V153G

EXB-F10V153G

ნაწილი საფონდო: 3759

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F6E563G

EXB-F6E563G

ნაწილი საფონდო: 3684

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F10WT03G

EXB-F10WT03G

ნაწილი საფონდო: 3697

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
EXB-H8E470J

EXB-H8E470J

ნაწილი საფონდო: 2633

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-H5E152J

EXB-H5E152J

ნაწილი საფონდო: 4123

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-H6V331J

EXB-H6V331J

ნაწილი საფონდო: 4168

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H6V151J

EXB-H6V151J

ნაწილი საფონდო: 4157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H8V473J

EXB-H8V473J

ნაწილი საფონდო: 4127

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F6V822G

EXB-F6V822G

ნაწილი საფონდო: 3682

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H6V224J

EXB-H6V224J

ნაწილი საფონდო: 4110

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-F10V681G

EXB-F10V681G

ნაწილი საფონდო: 3742

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F6V823G

EXB-F6V823G

ნაწილი საფონდო: 3676

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H6V332J

EXB-H6V332J

ნაწილი საფონდო: 4142

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H6V221J

EXB-H6V221J

ნაწილი საფონდო: 4174

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H9E224J

EXB-H9E224J

ნაწილი საფონდო: 4185

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F10V823G

EXB-F10V823G

ნაწილი საფონდო: 5459

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-H8V333J

EXB-H8V333J

ნაწილი საფონდო: 4096

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F6WT07G

EXB-F6WT07G

ნაწილი საფონდო: 3670

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H10E470J

EXB-H10E470J

ნაწილი საფონდო: 4166

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-H5E474J

EXB-H5E474J

ნაწილი საფონდო: 4155

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-H9E151J

EXB-H9E151J

ნაწილი საფონდო: 4143

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H6E471J

EXB-H6E471J

ნაწილი საფონდო: 5478

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-F8E151G

EXB-F8E151G

ნაწილი საფონდო: 3691

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-H5E332J

EXB-H5E332J

ნაწილი საფონდო: 4084

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-H6E221J

EXB-H6E221J

ნაწილი საფონდო: 5413

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-H8E151J

EXB-H8E151J

ნაწილი საფონდო: 4117

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
EXB-H5E684J

EXB-H5E684J

ნაწილი საფონდო: 4127

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-F10E684G

EXB-F10E684G

ნაწილი საფონდო: 3682

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
EXB-H6V104J

EXB-H6V104J

ნაწილი საფონდო: 4118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-H8V332J

EXB-H8V332J

ნაწილი საფონდო: 4141

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-H8E104J

EXB-H8E104J

ნაწილი საფონდო: 4173

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი