რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-E10C474J

EXB-E10C474J

ნაწილი საფონდო: 119687

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C104J

EXB-D10C104J

ნაწილი საფონდო: 141928

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P682J

EXB-Q16P682J

ნაწილი საფონდო: 113632

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-D10C564J

EXB-D10C564J

ნაწილი საფონდო: 168934

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C223J

EXB-D10C223J

ნაწილი საფონდო: 116339

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C683J

EXB-D10C683J

ნაწილი საფონდო: 196483

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C680J

EXB-D10C680J

ნაწილი საფონდო: 166273

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P681J

EXB-A10P681J

ნაწილი საფონდო: 176933

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P182J

EXB-A10P182J

ნაწილი საფონდო: 135497

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C472J

EXB-D10C472J

ნაწილი საფონდო: 131740

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C684J

EXB-D10C684J

ნაწილი საფონდო: 113751

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P122J

EXB-A10P122J

ნაწილი საფონდო: 128217

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C123J

EXB-D10C123J

ნაწილი საფონდო: 113817

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P562J

EXB-A10P562J

ნაწილი საფონდო: 178268

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C392J

EXB-E10C392J

ნაწილი საფონდო: 191401

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C224J

EXB-D10C224J

ნაწილი საფონდო: 130798

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C101J

EXB-E10C101J

ნაწილი საფონდო: 182235

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P221J

EXB-Q16P221J

ნაწილი საფონდო: 121346

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-F10V683G

EXB-F10V683G

ნაწილი საფონდო: 124207

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-D10C183J

EXB-D10C183J

ნაწილი საფონდო: 110842

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P394J

EXB-A10P394J

ნაწილი საფონდო: 110912

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C823J

EXB-D10C823J

ნაწილი საფონდო: 125723

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C151J

EXB-D10C151J

ნაწილი საფონდო: 189615

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P681J

EXB-Q16P681J

ნაწილი საფონდო: 142348

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-Q16P331J

EXB-Q16P331J

ნაწილი საფონდო: 115839

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-A10P102J

EXB-A10P102J

ნაწილი საფონდო: 169556

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P154J

EXB-A10P154J

ნაწილი საფონდო: 152159

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F6V334G

EXB-F6V334G

ნაწილი საფონდო: 159267

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-D10C103J

EXB-D10C103J

ნაწილი საფონდო: 165238

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H5E330J

EXB-H5E330J

ნაწილი საფონდო: 74738

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-E10C393J

EXB-E10C393J

ნაწილი საფონდო: 123264

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P153J

EXB-Q16P153J

ნაწილი საფონდო: 127137

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-D10C682J

EXB-D10C682J

ნაწილი საფონდო: 144459

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F6WT03G

EXB-F6WT03G

ნაწილი საფონდო: 128520

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P684J

EXB-A10P684J

ნაწილი საფონდო: 133020

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P393J

EXB-A10P393J

ნაწილი საფონდო: 170148

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი