რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-E10C122J

EXB-E10C122J

ნაწილი საფონდო: 175853

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P274J

EXB-A10P274J

ნაწილი საფონდო: 149084

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C182J

EXB-E10C182J

ნაწილი საფონდო: 148458

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P181J

EXB-A10P181J

ნაწილი საფონდო: 175443

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C394J

EXB-E10C394J

ნაწილი საფონდო: 157344

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C680J

EXB-E10C680J

ნაწილი საფონდო: 139321

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C563J

EXB-E10C563J

ნაწილი საფონდო: 163409

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C333J

EXB-D10C333J

ნაწილი საფონდო: 145380

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C562J

EXB-D10C562J

ნაწილი საფონდო: 144752

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C123J

EXB-E10C123J

ნაწილი საფონდო: 135214

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C153J

EXB-E10C153J

ნაწილი საფონდო: 121841

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C471J

EXB-E10C471J

ნაწილი საფონდო: 181507

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C103J

EXB-E10C103J

ნაწილი საფონდო: 101383

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P472J

EXB-Q16P472J

ნაწილი საფონდო: 113812

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-E10C181J

EXB-E10C181J

ნაწილი საფონდო: 127219

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C102J

EXB-D10C102J

ნაწილი საფონდო: 147226

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C334J

EXB-E10C334J

ნაწილი საფონდო: 169637

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C102J

EXB-E10C102J

ნაწილი საფონდო: 118047

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P124J

EXB-A10P124J

ნაწილი საფონდო: 172689

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P821J

EXB-A10P821J

ნაწილი საფონდო: 198110

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-H6V223J

EXB-H6V223J

ნაწილი საფონდო: 67892

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
EXB-Q16P104J

EXB-Q16P104J

ნაწილი საფონდო: 193350

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-F8WT01G

EXB-F8WT01G

ნაწილი საფონდო: 118175

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 160, 240, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
EXB-A10P823J

EXB-A10P823J

ნაწილი საფონდო: 129178

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C392J

EXB-D10C392J

ნაწილი საფონდო: 106175

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-F6E823G

EXB-F6E823G

ნაწილი საფონდო: 159219

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
EXB-E10C683J

EXB-E10C683J

ნაწილი საფონდო: 196081

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P271J

EXB-A10P271J

ნაწილი საფონდო: 149114

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-Q16P151J

EXB-Q16P151J

ნაწილი საფონდო: 150147

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
EXB-A10P123J

EXB-A10P123J

ნაწილი საფონდო: 117649

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P153J

EXB-A10P153J

ნაწილი საფონდო: 176100

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P183J

EXB-A10P183J

ნაწილი საფონდო: 154133

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C473J

EXB-D10C473J

ნაწილი საფონდო: 149530

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-A10P121J

EXB-A10P121J

ნაწილი საფონდო: 189037

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-D10C332J

EXB-D10C332J

ნაწილი საფონდო: 112615

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-E10C152J

EXB-E10C152J

ნაწილი საფონდო: 144944

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი