FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 20mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 10µA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 2mA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 30mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10µA,
FET ტიპი: P-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 20mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 10µA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.3V @ 1µA,
FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.4µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 10mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3.5V @ 1µA,
FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 20mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 10µA,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 30mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10µA,
