რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-28V130JX

EXB-28V130JX

ნაწილი საფონდო: 116119

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV332JV

EXB-2HV332JV

ნაწილი საფონდო: 116098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V680JX

EXB-18V680JX

ნაწილი საფონდო: 198547

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V390JX

EXB-18V390JX

ნაწილი საფონდო: 158534

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV561JV

EXB-2HV561JV

ნაწილი საფონდო: 185331

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV331JV

EXB-2HV331JV

ნაწილი საფონდო: 158167

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV473JV

EXB-2HV473JV

ნაწილი საფონდო: 192429

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV684JV

EXB-2HV684JV

ნაწილი საფონდო: 150742

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV912JV

EXB-2HV912JV

ნაწილი საფონდო: 134175

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V182JX

EXB-18V182JX

ნაწილი საფონდო: 103982

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV303JV

EXB-2HV303JV

ნაწილი საფონდო: 177414

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-28V113JX

EXB-28V113JX

ნაწილი საფონდო: 199692

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V180JX

EXB-18V180JX

ნაწილი საფონდო: 174152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV272JV

EXB-2HV272JV

ნაწილი საფონდო: 182086

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV821JV

EXB-2HV821JV

ნაწილი საფონდო: 199835

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV152JV

EXB-2HV152JV

ნაწილი საფონდო: 175083

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-24V43R2FX

EXB-24V43R2FX

ნაწილი საფონდო: 171378

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43.2, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-2HV224JV

EXB-2HV224JV

ნაწილი საფონდო: 169949

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV104JV

EXB-2HV104JV

ნაწილი საფონდო: 132330

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V470JX

EXB-18V470JX

ნაწილი საფონდო: 175272

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV184JV

EXB-2HV184JV

ნაწილი საფონდო: 122638

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV392JV

EXB-2HV392JV

ნაწილი საფონდო: 151241

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V822JX

EXB-18V822JX

ნაწილი საფონდო: 156196

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV153JV

EXB-2HV153JV

ნაწილი საფონდო: 113820

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV750JV

EXB-2HV750JV

ნაწილი საფონდო: 138865

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV474JV

EXB-2HV474JV

ნაწილი საფონდო: 120879

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV110JV

EXB-2HV110JV

ნაწილი საფონდო: 171489

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V223JX

EXB-18V223JX

ნაწილი საფონდო: 110381

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV271JV

EXB-2HV271JV

ნაწილი საფონდო: 166837

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV910JV

EXB-2HV910JV

ნაწილი საფონდო: 100880

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V221JX

EXB-18V221JX

ნაწილი საფონდო: 153903

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV822JV

EXB-2HV822JV

ნაწილი საფონდო: 104186

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V271JX

EXB-18V271JX

ნაწილი საფონდო: 143426

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV203JV

EXB-2HV203JV

ნაწილი საფონდო: 175710

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV512JV

EXB-2HV512JV

ნაწილი საფონდო: 179918

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV154JV

EXB-2HV154JV

ნაწილი საფონდო: 107108

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი