რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-18V101JX

EXB-18V101JX

ნაწილი საფონდო: 112734

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V120JX

EXB-18V120JX

ნაწილი საფონდო: 161544

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V272JX

EXB-18V272JX

ნაწილი საფონდო: 189605

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V100JX

EXB-18V100JX

ნაწილი საფონდო: 130382

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV430JV

EXB-2HV430JV

ნაწილი საფონდო: 171205

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV564JV

EXB-2HV564JV

ნაწილი საფონდო: 182143

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV220JV

EXB-2HV220JV

ნაწილი საფონდო: 105666

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V394JX

EXB-18V394JX

ნაწილი საფონდო: 104934

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V820JX

EXB-18V820JX

ნაწილი საფონდო: 138493

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV683JV

EXB-2HV683JV

ნაწილი საფონდო: 112195

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V270JX

EXB-18V270JX

ნაწილი საფონდო: 116777

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V133JX

EXB-28V133JX

ნაწილი საფონდო: 154891

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV432JV

EXB-2HV432JV

ნაწილი საფონდო: 147727

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV364JV

EXB-2HV364JV

ნაწილი საფონდო: 101010

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV1R2JV

EXB-2HV1R2JV

ნაწილი საფონდო: 161433

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV824JV

EXB-2HV824JV

ნაწილი საფონდო: 193139

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V824JX

EXB-18V824JX

ნაწილი საფონდო: 183070

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V823JX

EXB-18V823JX

ნაწილი საფონდო: 175528

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV240JV

EXB-2HV240JV

ნაწილი საფონდო: 186449

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V103JX

EXB-18V103JX

ნაწილი საფონდო: 108410

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV470JV

EXB-2HV470JV

ნაწილი საფონდო: 167824

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV4R7JV

EXB-2HV4R7JV

ნაწილი საფონდო: 185544

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-28V432JX

EXB-28V432JX

ნაწილი საფონდო: 170750

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV150JV

EXB-2HV150JV

ნაწილი საფონდო: 131127

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV471JV

EXB-2HV471JV

ნაწილი საფონდო: 175772

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV243JV

EXB-2HV243JV

ნაწილი საფონდო: 156418

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV114JV

EXB-2HV114JV

ნაწილი საფონდო: 174056

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV242JV

EXB-2HV242JV

ნაწილი საფონდო: 143546

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.4k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV134JV

EXB-2HV134JV

ნაწილი საფონდო: 116374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV163JV

EXB-2HV163JV

ნაწილი საფონდო: 130586

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV362JV

EXB-2HV362JV

ნაწილი საფონდო: 107419

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV624JV

EXB-2HV624JV

ნაწილი საფონდო: 169438

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV752JV

EXB-2HV752JV

ნაწილი საფონდო: 162651

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV2R7JV

EXB-2HV2R7JV

ნაწილი საფონდო: 186693

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V153JX

EXB-18V153JX

ნაწილი საფონდო: 189922

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V683JX

EXB-18V683JX

ნაწილი საფონდო: 129104

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი