რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-18V184JX

EXB-18V184JX

ნაწილი საფონდო: 163602

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V473JX

EXB-18V473JX

ნაწილი საფონდო: 131966

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV390JV

EXB-2HV390JV

ნაწილი საფონდო: 144487

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV301JV

EXB-2HV301JV

ნაწილი საფონდო: 137801

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV221JV

EXB-2HV221JV

ნაწილი საფონდო: 137585

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V681JX

EXB-18V681JX

ნაწილი საფონდო: 194852

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV162JV

EXB-2HV162JV

ნაწილი საფონდო: 122660

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V392JX

EXB-18V392JX

ნაწილი საფონდო: 191763

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V121JX

EXB-18V121JX

ნაწილი საფონდო: 178675

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV132JV

EXB-2HV132JV

ნაწილი საფონდო: 102489

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-V8V684JV

EXB-V8V684JV

ნაწილი საფონდო: 197735

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V274JV

EXB-V8V274JV

ნაწილი საფონდო: 130262

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV123JV

EXB-2HV123JV

ნაწილი საფონდო: 100510

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V222JX

EXB-18V222JX

ნაწილი საფონდო: 187036

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV201JV

EXB-2HV201JV

ნაწილი საფონდო: 121224

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V563JX

EXB-18V563JX

ნაწილი საფონდო: 118376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV751JV

EXB-2HV751JV

ნაწილი საფონდო: 122374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V274JX

EXB-18V274JX

ნაწილი საფონდო: 127315

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-18V393JX

EXB-18V393JX

ნაწილი საფონდო: 145589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV560JV

EXB-2HV560JV

ნაწილი საფონდო: 150596

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV361JV

EXB-2HV361JV

ნაწილი საფონდო: 116

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV434JV

EXB-2HV434JV

ნაწილი საფონდო: 119798

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V154JX

EXB-18V154JX

ნაწილი საფონდო: 117718

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V753JX

EXB-28V753JX

ნაწილი საფონდო: 116486

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV204JV

EXB-2HV204JV

ნაწილი საფონდო: 116654

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV360JV

EXB-2HV360JV

ნაწილი საფონდო: 125774

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-18V123JX

EXB-18V123JX

ნაწილი საფონდო: 189285

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-2HV270JV

EXB-2HV270JV

ნაწილი საფონდო: 193269

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV621JV

EXB-2HV621JV

ნაწილი საფონდო: 148737

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV113JV

EXB-2HV113JV

ნაწილი საფონდო: 162895

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-2HV161JV

EXB-2HV161JV

ნაწილი საფონდო: 125789

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
EXB-14V680JX

EXB-14V680JX

ნაწილი საფონდო: 145465

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V270JX

EXB-14V270JX

ნაწილი საფონდო: 146601

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V154JX

EXB-14V154JX

ნაწილი საფონდო: 113589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V101JX

EXB-14V101JX

ნაწილი საფონდო: 106426

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-14V331JX

EXB-14V331JX

ნაწილი საფონდო: 165184

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი